[发明专利]二氧化硅光学镀膜材料的制备方法及二氧化硅材料无效

专利信息
申请号: 96117374.2 申请日: 1996-12-23
公开(公告)号: CN1186052A 公开(公告)日: 1998-07-01
发明(设计)人: 崔承甲;刘占国 申请(专利权)人: 中国科学院长春光学精密机械研究所
主分类号: C03C25/02 分类号: C03C25/02
代理公司: 中国科学院长春专利事务所 代理人: 刘树清
地址: 130022 *** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 二氧化硅 光学 镀膜 材料 制备 方法
【说明书】:

发明属于材料科学领域中的光学镀膜材料α-SiO2的制备方法及α-SiO2材料。

本发明之前,通常所使用的玻璃态的SiO2光学镀膜材料的制备是将天然高纯度水晶或石英粉,在1700℃以上的高温下熔融成块状玻璃态石英,再将其粉碎成适当的颗粒状后做为光学镀膜材料来使用。

这种方法的缺点是:精选天然高纯度水晶或石英粉的工艺复杂,而且在1700℃以上的高温进行熔炼所需的设备很昂贵,工艺复杂,消耗的能量也相当大,造成很大的经济负担和浪费。

为了克服上述缺点,本发明的目的在于:省去高温熔炼SiO2成玻璃态的过程,建立一种采用较低温度对天然SiO2进行热处理的特定工艺流程,可获得光学镀膜效果极佳的结晶态SiO2(即α-SiO2)光学镀膜材料。

本发明的详细内容如图1和图2所示,矿石精选1,对精选的矿石进行清洁处理并烘士2,对清洁处理,烘干后的矿石进行粉碎过筛3、对过筛后的矿石去粉未清洗4、对经过清洁、粉碎、过筛处理的矿石进行热处理5、最后是除去杂质6。

矿石精选1,是制备α-SiO2光学镀膜材料的第一道工序。可根据被镀膜层的质量和数量要求,进行目视精选或用仪器进行精选,使精选后天然水晶或石英,满足一定的纯度要求。对精选的矿石进行清洁处理并烘干2,是指清洁处理必须采用高纯水(如去离子水等)处理后烘干。对清洁处理,烘干后的矿石进行粉碎过筛3,要求粉碎机和筛子的材质,采用硬质材料制成并对α-SiO2光学镀膜材料无污染、筛网的孔从小至大形成系列,以满足所需光学镀膜材料的粒度要求,根据粒度大小的要求,选用适合的筛孔过筛。对过筛后的矿石去粉未清洗4,是指对过筛后的不同粒度大小的矿石,都要用高纯水去粉未清洗。对经过过筛、去粉未的α-SiO2,进行热处理5,是指将处理好的α-SiO2装在对α-SiO2无污染的坩埚里(如石英坩埚、白金坩埚、刚玉坩埚等),并将装满α-SiO2材料坩埚放进大气加热炉(如电弧炉、高频炉、电阻炉、马福炉等)中,进行热处理,热处理的温控—时间曲线由图2所示,纵坐标℃表示温度,横坐标T表示时间,单位是小时,从室温均匀升温4小时以上(如6小时,8小时),以OA表示,温度升致570℃~600℃,以OF表示,再恒温处理8小时以上,以ED(或AB)表示,接着是匀速降温24小时至40小时,以BC表示。除去杂质6是指对经过热处理的α-SiO2进行质量筛选,把变色的含有杂质的α-SiO2全部去掉,最后所获得的就是我们所制备的α-SiO2光学镀膜材料。

如果对膜层要求的质量指标不高,对精选的水晶或石英,粉碎后过筛,属于小颗粒的,可以不经过热处理过程,直接做光学镀膜材料。

本发明所依据的原理:通常用1700℃以上高温熔融工艺制备的玻璃态的SiO2光学镀膜材料,镀在光学元件上的膜层为玻璃态SiO2

用本发明方法制备的结晶态α-SiO2光学镀膜材料,镀在光学元件上的膜层也是玻璃态SiO2

结晶态α-SiO2和玻璃态SiO2光学镀膜材料,所镀的膜层效果、光学性能完全一样,而结晶态α-SiO2的制备,是省去了1700℃高温熔融工艺过程,只用温度较低的热处理过程,这样就大大地节能、节省高温设备,大幅度地降低了光学镀膜材料的制备成本,所以用结晶态α-SiO2代替玻璃态SiO2是理所当然的。

本发明的积极效果:利用较低温度的热处理特殊工艺制备的结晶态α-SiO2光学镀膜材料,替代了用高温熔融工艺制备的玻璃态SiO2光学镀膜材料,大幅度地降低了光学镀膜材料的制备成本,提高了市场竞争能力,具有显著的科学、社会和经济效益。

附图说明:图1是本发明方法的工艺流程示意图,图2为热处理的温控一时间曲线,摘要附图采用图2。

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