[发明专利]半导体器件的操作方式设定电路

权利要求书

1.用来在半导体器件中产生代表操作方式的内部信号的操作方式设定电路，其特征在于包括根据操作方式转换信号来改变外部提供的外部信号(EXT)状态和所述内部信号状态(INT)之间对应关系的装置(10，20)。

2.根据权利要求1的操作方式设定电路，其特征在于：

用来改变所述对应关系的所述装置(10，20)包括装置(12；14；22；24；30)，当所述操作方式转换信号为第一电平时，该装置输出第一状态的外部信号，把它作为与所述第一状态的外部信号相对应的所述第一状态的第一内部信号，并且，当所述操作方式转换信号为第二电平时，该装置将所述第一状态的外部信号转换为与所述第一状态不同的第二状态的第一内部信号，以便输出。

3.根据权利要求1的操作方式设定电路，其特征在于：

用来改变所述对应关系的所述装置(10，20)包括装置(12；14；22；24；30)，该装置响应所述操作方式转换信号的第一电平，将第一状态的外部信号作为与所述第一状态相对应的第一内部信号输出，并且，该装置向应所述操作方式转换信号的第二电平，将第二状态的外部信号转变为与所述第一状态相对应的第一内部信号输出。

4.根据权利要求1的操作方式设定电路，其特征在于：

用来改变所述对应关系的所述装置(10，20)包括反相器(12a；22a；32)，该反相器响应操作方式转换信号的所述第二电平，将外部信号反相。

5.根据权利要求1的操作方式设定电路，其特征在于：

每一个所述外部信号和内部信号都是多比特信号，并且

用来改变所述对应关系的所述装置(10，20)包括装置(NT1-NT3，PT1-PT3)，该装置根据所述操作方式转换信号，改变接收所述外部信号的输入点(35X-35Z)与输出点(36X-36Z)之间的连接状态，输出一个与所述外部信号相对应的第一内部信号。

6.根据权利要求1的操作方式设定电路，其特征在于：

所述半导体器件是含有大量存储单元的半导体存储器件，并且

所述外部信号包括信号(ZRAS，ZCAS，ZWE)，该信号用来控制读写所述大量的内存单元。

7.根据权利要求1的操作方式设定电路，其特征在于：

所述半导体器件是含有大量存储单元的半导体存储器件，并且

所述外部信号包括多比特地址信号中的规定位(A0-An)，该信号用来从所述大量内存单元中指定待访问的内存单元。

8.根据权利要求1的操作方式设定电路，其特征在于用来改变所述对应关系的所述装置(10，20)包括：响应所述操作方式转换信号，以建立外部信号和第一内部信号之间的对应关系的对应关系限定装置(10)，和接收外部信号产生第一内部信号的指定装置(20)，该装置用来产生与所述第一内部信号的状态一致的所述内部信号。

9.根据权利要求8的操作方式设定电路，其特征在于：所述外部信号和所述第一内部信号包括大量的子信号，以及，所述指定装置(20；25)包括检测装置(21，23，26)，该装置响应所述第一信号的子信号的某一部分，以检测所述子信号部分满足预定的时序条件，响应满足预定的时序条件的检测，以产生与所述内部信号的剩余子信号的逻辑值一致的内部信号。

10.根据权利要求4的操作方式设定电路，其特征在于：用来改变所述对应关系的所述装置(10，20)包括装置(12，14，22，24；32)，该装置响应所述操作方式转换信号，为第一内部信号的剩余子信号建立对应关系。

11.根据权利要求9的操作方式设定电路，其特征在于：用来改变所述对应关系的所述装置(10，20)包括装置(10)，该装置响应操作方式转换信号，为所述第一内部信号的子信号的所述部分建立对应关系。

12.根据权利要求9的操作方式设定电路，其特征在于：用来改变所述对应关系的所述装置(10，20)包括装置(10，20)，该装置响应操作方式转换信号，为所述第一内部信号的子信号的所述部分及所述剩余部分建立对应关系。