[发明专利]半导体器件的操作方式设定电路

说明书

本发明是关于设定半导体器件操作方式的电路，更具体地说，是设定半导体存储器件内部操作方式的电路。

图14显示了常规的半导体器件操作方式设定电路。在图14中，操作方式设定电路包括：方式设定启动信号发生电路1，它根据外部提供的信号ext.A，ext.B，和ext.C产生方式设定启动信号MSET；以及方式设定电路2，它响应方式设定启动信号MSET而被启动，并且激活方式指定信号MODEA，MODEB，MODEC，...中的任一个，其中任意一个方式指定信号用来根据由外部提供的信号ext.x，ext.y和ext.z所代表的方式指定方式数据DATA，设定半导体器件的内部操作方式。现参考由图15所示的时序图讲解图14所示电路的工作。

当外部信号ext.A，ext.B，和ext.C被置于规定状态(如图15所示都为L电平)时，方式设定启动信号发生电路1确定要提供一个设定半导体器件操作方式的指令，并且将方式设定启动信号MSET置于激活状态的的H电平。方式设定电路2响应激活方式设定启动信号MSET，对由外部信号ext.x，ext.y和ext.z所组成的方式设定数据DATA进行解码，并根据方式设定数据DATA产生方式指定信号。图15为某一范例的状态，其中，当方式设定数据为DATA(A)时，激活方式指定信号MODEA，而当方式设定数据为DATA(B)时，激活方式指定信号MODEB。

当半导体器件是半导体存储器时，为该器件的各种不同功能提供了多种测试方式和操作方式。借助于指定某一具体操作方式的外部信号，可指定多个操作方式中的一个，半导体存储器件可运行在所指定的方式下。

如图15所示，对于某一种半导体器件，外部信号状态组合和被指定的操作方式之间的对应关系是唯一确定的。由于方式设定启动信号产生电路1和方式设定电路2是由硬件来实施的，所以他们的内部结构不容易改变。例如，如果该半导体器件是动态随机存储器(DRAM)，那么，当CBR条件满足时，设定为刷新存储数据的自刷新方式，并且行地址选通信号/RAS在CBR条件下，在指定时间间隔或更长时间内保持为L电平(CAS在RAS之前，即在行地址选通信号/RAS拉低之前，将列地址选通信号/CAS置为L电平)。

当在CBR条件下将专用地址信号位  置为规定状态时，该DRAM的专用测试方式就被指定(自刷新方式被复位)。例如，在数据保持方式期间，由于只进行内部的保持存储数据  的自刷新操作而没有外部的访问，所以，该DRAM的供电电压减小以降低DRAM的功耗，从而降低DRAM外部电源如电池的功耗。例如，设置这样一种方式，使用WCBR条件(在行地址选通信号/RAS拉低之前将允许写信号/WE和列地址选通信号/CAS置为L电平)和地址字条件的组合，该地址字将专用地址信号位置为规定状态。

在使用DRAM的数据处理系统中，如果不同类型的处理器被用来作为外部处理单元，则这些处理器可能使用不同的外部信号状态来确定DRAM的操作方式。例如，作为外部处理单元的一个处理器(CPU)可能用WCBR条件和地址字条件来指定“低功耗方式”以在数据保持期间降低供电电压，另一个CPU可能用同样的WCBR条件和地址字条件设定一个“低功耗方式”，但是，CPU所使用的地址字的状态可能不同。如果用其它CPU所使用的指定操作方式的外部信号状态来指定DRAM的检测方式(一种DRAM性能评估测试方式；例如，诸如老化试验的应力加速试验，用来暴露器件的原始缺陷)，则在DRAM中，不仅可能发生误动作(即没有按CPU要求的操作方式执行)，而且可能发生存储数据的破坏。

为了适应不同的外部信号条件，DRAM的操作方式和外部信号状态(条件)必须根据所使用的CPU(或系统)来确定。在这种情况下，方式设定电路的内部结构应当根据每一个应用系统(CPU的类型)而变化，结果必须制造大量不同类型却具有同一种功能的DRAM，导致更高的制造成本。

本发明的目的是提供一种半导体器件，该器件即使所提供的外部信号具有不同状态，也能够正确地设定所需要的内部操作方式，而不需要改变器件的内部结构。

本发明的另一个目的是提供一种半导体器件，该器件即使在所提供的外部信号具有相同的状态，也能根据用途来设定不同的内部操作方式。

按照本发明的操作方式设定电路包括用来随着操作方式转换信号而改变外部提供的外部信号状态与内部信号状态之间对应关系的电路。

通过随着操作方式转换信号来改变外部提供的外部信号状态与加到设置在内部的操作方式设定电路的内部信号的状态之间对应关系，本发明可用于多种不同的应用系统，而不需要改变内部结构。