[发明专利]中温烧结低介高频片式多层瓷介电容器瓷料

权利要求书

1、一种中温烧结低介高频片式多层瓷介电容器瓷料，其特征在于其配方组成(重量比)为、

四钛钡主晶相(BaO·4TiO₂)      95～97％

硼硅铅玻璃                    2.9～5％

其中硼硅铅玻璃组成为：B₂O₃  20～30％

                    SiO₂    5～10％

                    PbO     45～75％

改性物：0.1～0.5％由碳酸锰(MnCO₃)、二氧化锡(SnO₂)、二氧化锆(ZrO₂)的一种或几种组成。

2、根据权利要求1所述的中温烧结低介高频片式多层瓷介电容器瓷料，其特征在于其配方组成(重量比)为，

BaO·4TiO₂    95～97％

硼硅铅玻璃    2.7～4.7％

改性物：

ZrO₂         0.1％

SnO₂         0.1％

MnCO₃        0.1％

3、根据权利要求1所述的中温烧结低介高频片式多层瓷介电容器瓷料，其特征在于其配方组成(重量比)为：

BaO·4TiO₂    95.5～96.5％

硼硅铅玻璃    2.9～4.2％

改性物：

ZrO₂         0.2％

MnCO₃        0.1％

4、根据权利要求1或2或3所述的中温烧结低介高频片式多层瓷介电容器瓷料，其特征在于其最佳烧成温度是1120摄氏度。