[发明专利]中温烧结低介高频片式多层瓷介电容器瓷料

说明书

本发明涉及一种电容器瓷料，特别是中温烧结低介高频片式多层瓷介电容器瓷料。

目前，低介NPO瓷料主要用于制作小容量，高精度的高频电容器，它广泛用于时钟振荡电路及温度补偿电路中，比之使用高介NPO瓷料做小容量、高精度的高频电容器，在提高产品的一致性、可靠性及命中率等方面具有不可替代的优势，现低介NPO瓷料系统的MgTiO₃/CaTiO₃系、Zr/sn/Ti系及Ba₂Ti₉O₂₀系等已有大量的研究，但其它类型系统则未有成果，国内对上述研究及应用偏重于园片高烧瓷料为主，对中温独石瓷料则未见报道。

本发明的目的是针对上述问题，提出一种中温烧结低介高频片式多层瓷介电容器瓷料，通过其合成、烧成制度及助溶剂、矿化剂的研究，获得介电常数ε＝35左右的优异电性能，适用于片式多层陶瓷电容器的生产。

本发明其配方组成(重量比)为，

四钛钡主晶相(BaO·4TiO₂)          95～97％

硼硅铅玻璃                          2.9～5％

    其中硼硅铅玻璃组成为：B₂O₃  20～35％

                          SiO₂    5～10％

                          PbO     45～75％

改性剂0.1～0.5％由碳酸锰(MnCO₃)、二氧化锡(SnO₂)、二氧化锆(ZrO₂)的一种或几种组成。其配方可以是组成(重量比)为，

BaO·4TiO₂    95～97％

硼硅铅玻璃     2.7～5％

改性剂：

ZrO₂       0.1％

SnO₂       0.1％

MnCO₃      0.1％其配方最佳组成(重量比)为，

BaO·4TiO₂    95.5～96％

硼硅铅玻璃     2.9～4.5％

改性剂：

ZrO₂       0.2％