[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1．一种制造半导体器件的方法，该器件具有p—型MOS晶体管和n—型MOS晶体管，至少在每个MOS晶体管的源／漏区(112、115)上形成高熔点金属硅化物层(117)，所述方法包括下列步骤：

在形成位于硅衬底(101)上面的每个MOS晶体管的栅绝缘膜(104)和栅电极(105)后，通过掺杂，形成所述n—型MOS晶体管的源／漏区(112)；

通过在所述n—型和p—型MOS晶体管的区上的选择性外延生长工艺形成一个硅层，硅在所述区中被暴露；

通过所述硅层，形成所述p—型MOS晶体管的源／漏区(115)；

通过在整个表面淀积高熔点金属(116)，使所述高熔点金属和所述硅层发生反应，形成所述高熔点金属硅化物层。

2．一种制造半导体器件的方法，该器件具有p—型MOS晶体管和n—型MOS晶体管，且至少在每个MOS晶体管的源／漏区(112、115)上形成高熔点金属硅化物层(117)，所述方法包括下列步骤：

在形成位于硅衬底(101)上面的每个所述MOS晶体管的栅绝缘膜(104)和栅电极(105)后，通过掺杂形成所述p—型MOS晶体管和所述n—型MOS晶体管中至少一个的低杂质浓度区(107，109)；

在每个MOS晶体管所述栅电极的侧面，形成侧壁(110)；

通过离子注入杂质，形成所述n—型MOS晶体管的作为高杂质浓度区的源／漏区(112)；

通过在n—型和p—型MOS晶体管的区的选择外延生长工艺，形成硅层(113)，硅在所述区中被暴露；

通过所述硅层，利用离子注入p—型杂质，形成所述p—型MOS晶体管的作为高杂质浓度区的源／漏区(115)；

通过在整个表面上淀积高熔点金属层(116)，使所述高熔点金属和所述硅层进行反应，形成高熔点金属硅化物层(117)；以及除掉没硅化反应的残留的高熔点金属。

3．按照权利要求2的制造半导体器件的方法，其特征是，只在所述n—型MOS晶体管的源／漏区(115)，形成低杂质浓度区。

4．按照权利要求1的制造半导体器件的方法，其特征是，在源／漏区(112、115)上形成的所述硅层是没掺杂的硅层。

5．按照权利要求2的制造半导体器件的方法，其特征是，在源／漏区(112、115)上形成的所述硅层是没掺杂的硅层。

6．按照权利要求3的制造半导体器件的方法，其特征是，在源／漏区(112、115)上形成的所述硅层是没掺杂的硅层。

7．按照权利要求1的制造半导体器件的方法，其特征是，从由钛、钴、钼组成的组中选择所说高熔点的金属，从由硅化钛层、硅化钴层、硅化钼层组成的组中选择所述高熔点金属硅化物层。

8．按照权利要求2的制造半导体器件的方法，其特征是，从由钛、钴、钼组成的组中选择所说高熔点的金属，从由硅化钛层，硅化钴层、硅化钼层组成的组中选择所述高熔点金属硅化物层。

9．按照权利要求3的制造半导体器件的方法，其特征是，从由钛、钴、钼组成的组中选择所述高熔点的金属，从由硅化钛层、硅化钴层、硅化钼层中选择所述高熔点金属的硅化物层。

10．按照权利要求1的制造半导体器件的方法，其特征是，在源／漏区(112、115)上面形成的所述硅层的厚度至少为30nm。

11．按照权利要求2的制造半导体器件的方法，其特征是，在源／漏区(112、115)上面形成的所述硅层的厚度至少为30nm。

12．按照权利要求3的制造半导体器件的方法，其特征是，在源／漏区(112、115)上面形成的所述硅层的厚度至少为30nm。

13．按照权利要求4的制造半导体器件的方法，其特征是，在源／漏区(112、115)上面形成的所述硅层的厚度至少为30nm。

14．按照权利要求5的制造半导体器件的方法，其特征是，在源／漏区(112、115)上面形成的所述硅层的厚度至少为30nm。

15．按照权利要求6的制造半导体器件的方法，其特征是，在源／漏区(112、115)上面形成的所述硅层的厚度至少为30nm。