[发明专利]控制器大容量存储器混装型半导体集成电路器件及测试法无效
申请号: | 96119297.6 | 申请日: | 1996-11-29 |
公开(公告)号: | CN1163475A | 公开(公告)日: | 1997-10-29 |
发明(设计)人: | 桃原朋美 | 申请(专利权)人: | 东芝株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 孙敬国 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 控制器 容量 存储器 混装型 半导体 集成电路 器件 测试 | ||
1.一种控制器大容量存储器混装型半导体集成电路器件,其特征在于,包括设置在半导体芯片上的主存储单元;设置在所述芯片上的至少对从所述芯片外向所述主存储单元的数据输入和从所述主存储单元向所述芯片外的数据输出进行控制的控制器;具有设置在所述芯片上的能改写数据的存储单元,并按在该存储单元中写入的自测试序列对所述主存储单元进行测试的自测试手段。
2.如权利要求1所述的控制器大容量存储器混装半导体集成电路器件,其特征还在于,自测试手段具有按在所述能改写数据的存储单元中写入的自测试序列对所述主存储单元进行自测试,并且使根据这种自测试求得的所述主存储单元的故障地址存储在与所述主存储单元不同的其它存储单元中的功能,还包括按在所述能改写数据的存储单元中写入的自保护处理序列,对存储在所述其它存储单元的所述主存储单元的故障地址所对应的不合格部分进行自保护处理的自保护手段。
3.一种控制器大容量存储器混装型半导体集成电路器件的测试方法,其特征在于,在至少包括设置在半导芯片上的主存储单元;设置在所述芯片上的至少对从所述芯片外向所述主存储单元的数据输入和从所述主存储单元向所述芯片外的数据输出进行控制的控制器;设置在所述芯片内的能改写数据的存储单元;按设置在所述芯片上的所述能改写数据的存储单元中写入的自测试序列对所述主存储单元进行自测试,并且使根据这种自测试求得的所述主存储单元的故障地址存储在与所述主存储单元不同的其它存储单元中的自测试电路;按设置在所述芯片上的所述能改写数据的存储单元中写入的自保护序列,对存储在所述其它存储单元的所述主存储单元的故障地址所对应的不合格部分进行自保护处理的自保护电路的控制器大容量存储器混装型半导体集成电路器件的测试方法中,根据从外部测试器送来的信号,分别至少对所述控制器、所述其它存储单元、所述能改写数据的存储单元、所述自测试电路和所述自保护电路进行测试,从所述外部测试器将自测试序列写入所述能改写数据的存储单元中,按照在所述能改写数据的存储单元中写入的自测试序列,利用从所述自测试电路送来的信号,至少对所述主存储单元进行测试。
4.如权利要求3所述的控制器大容量存储器混装型半导体集成电路器件的测试方法,其特征还在于,从所述外部测试器将自保护序列写入所述能改写数据的存储单元,按照所述能改写数据的存储单元中写入的自保护序列,利用所述自保护电路,对存储在所述其它存储单元中的故障地址所对应的所述主存储单元的不合格部分进行自保护处理。
5.如权利要求4所述的控制器大容量存储器混装型半导体集成电路器件的测试方法,其特征还在于,在所述主存储单元的自测试中随时将所述故障地址存储在所述其它存储单元中。
6.如权利要求4所述的控制器大容量存储器混装型半导体集成电路器件的测试方法,其特征还在于,还具有用于写入故障地址的转换信息且至少能用电气方式写入数据的存储单元,以及至少包括冗余存储单元、冗余用故障地址寄存器单元的冗余电路;在所述至少能用电气方式写入数据的存储单元中用电气方式写入故障地址的转换信息并输入与故障地址相当的地址时,与在所述冗余用故障地址寄存器单元中保存的数据进行比较,判断是否正确地进行其故障地址的转换,并借助于将所述主存储单元的不合格部分置换到所述冗余存储单元,进行所述主存储单元的不合格部分的保护处理。
7.如权利要求6所述的控制器大容量存储器混装型半导体集成电路器件的测试方法,其特征还在于,用包含多行或者多列的块单元进行对所述主存储单元的不合格部分的所述冗余存储单元的置换。
8.一种控制器大容量存储器混装型半导体集成电路器件的使用方法,其特征在于,在至少包括设置在半导芯片上的主存储单元;设置在所述芯片上的至少对从所述芯片外向所述主存储单元的数据输入和从所述主存储单元向所述芯片外的数据输出进行控制的控制器;具有设置在所述芯片上的能改写数据的存储单元,并按在该存储单元中写入的自测试序列对所述主存储单元进行测试的自测试手段的控制器大容量存储器混装型半导体集成电路器件的使用方法中,所述能改写数据的存储单元擦去在该存储单元中写入的自测试序列和自保护序列后,作为半导体集成电路器件的工作存储器使用。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造