[发明专利]使非平面层平面化的方法

权利要求书

1、一种使非平面层平面化的方法，该方法包括下列步骤：

(a)在非平面上面形成一个第一层，该层具有由于非平面层而产生的突起；

(b)在介电层的上面加一个播种层，该播种层具有由于第一层的突起而产生的隆起；

(c)在播种层的上面形成一个光刻胶层；

(d)使光刻胶层的一些部分形成图案且将其部分地去除，由此使播种层的上表面的部分暴露出；

(f)去除剩余的光刻胶层直到位于其下的播种层被暴露出来；

(g)以这样一种方式去除仍残留的光刻胶部分、突出在介于导电层之间的播种层和第一层的部分，也即，使第一层中的突起完全被去除；以及

(h)去除导电层和每个导电层下面的播种层。

2、如权利要求1的方法，其中的第一层由介电材料制成。

3、如权利要求2的方法，其中播种层的蚀刻率大致上等于介电层的蚀刻率。

4、如权利要求3的方法，其中的播种层包含一个由导电材料制成的上层以及一个由一种对介电材料具有较大复合力的材料制成的底层。

5、如权利要求4的方法，其中的播种层的厚度以这样一种方式来确定，也即，使播种层的蚀刻大致上与介电层的蚀刻率相等。

6、如权利要求1的方法，其中的导电层通过采用电镀方法来形成。

7、如权利要求6的方法，其中各导电层都具有这样一个厚度，也即其残留部分当第一层中的突起被去除后仍能保留。

8、如权利要求1的方法，其中光刻胶层的剩余部分通过采用干性蚀刻方法来去除。

9、如权利要求8的方法，其中的干性蚀刻方法是O2等离子体反应离子蚀刻。

10、如权利要求1的方法，其中剩余光刻胶层、突出在介于导电层和第一层的部分之间的播种层的去除是通过采用干性蚀刻方法来实施的。

11、如权利要求10的方法，其中的干性蚀刻方法是CF₄+O₂等离子体反应离子蚀刻。

12、如权利要求1的方法，其中每个导电层和在其下面的播种层的去除是通过采用湿性蚀刻方法来实施的。

13、如权利要求12的方法，其中湿性蚀刻方法中使用的蚀刻剂是HNO₃或者H₂SO₄。

14、如权利要求1的方法，进一步包括，在去除每个导电层和在其下面的播种层后，一个去除第一层的上面直到非平面层被暴露出来的步骤。

15、如权利要求14的方法，其中的去除是通过采用干性蚀刻方法来实施的。

16、如权利要求15的方法，其中的蚀刻方法是CF₄等离子体反应离子蚀刻。

17、如权利要求14的方法，其中的去除是通过采用湿性蚀刻方法来实施的。

18、如权利要求17的方法，其中在湿性蚀刻方法中使用的一种蚀刻剂是HF。