[发明专利]栅电极及其形成方法无效
| 申请号： | 96121474.0 | 申请日： | 1996-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1155159A | 公开（公告）日： | 1997-07-23 |
| 发明（设计）人： | 崔在成 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/768;H01L23/52 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 杨梧 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电极 及其 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种栅电极，其特征在于，具有在半导体衬底上部形成的栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜上部由乙硅烷气体形成的非晶硅层；在所述非晶硅层上部形成的、含有微量杂质的硅化钨层，所述非晶硅层具有可防止所述杂质向栅绝缘膜侧渗透的粒度尺寸。
2、根据权利要求1所述的栅电极，其特征在于，所述非晶硅层的粒度尺寸是2～3μm。
3、根据权利要求1所述的栅电极，其特征在于，所述杂质是氟元素。
4、一种栅电极的形成方法，其特征在于包括以下工序：
提供在其上形成有栅绝缘膜的半导体衬底；
把半导体衬底安置于化学汽相淀积所用的反应室，并在乙硅烷气氛中进行热处理，再在所述栅绝缘膜上形成非晶硅层；
在所述非晶硅层上形成硅化钨。
5、根据权利要求4所述的栅电极形成方法，其特征在于，所述硅化钨是WSi2。
6、根据权利要求4所述的栅电极形成方法，其特征在于，所述反应室的压力为0.1～数十个Torr。
7、根据权利要求4所述的栅电极形成方法，其特征在于，为了形成多晶硅，所述乙硅烷气体反应的反应室的温度是450～580℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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