[发明专利]隔离半导体器件的元件的方法无效
| 申请号： | 96121653.0 | 申请日： | 1996-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN1156325A | 公开（公告）日： | 1997-08-06 |
| 发明（设计）人： | 金荣福;权成九;赵炳珍;金钟哲 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 杨梧 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 隔离 半导体器件 元件 方法 | ||
1、一种隔离半导体器件的元件的方法，包括下列步骤：
在半导体衬底上形成应力缓冲层；
在含氮气体气氛中进行退火，在半导体衬底和缓冲层之间的界面处形成积累氮的层；
在所得结构的整个表面上淀积防氧化层；
选择地腐蚀场区的防氧化层和缓冲层，以形成第一凹进区；
形成隔离层，以便限制在第一凹进区侧壁处鸟嘴图形的形成；
在第一次氧化过程中形成牺牲氧化膜；
用湿腐蚀工艺除掉牺牲氧化膜，以便在半导体衬底中形成第二凹进区；
在第二氧化工艺形成场氧化膜。
2、根据权利要求1所述的方法，其中，在NH3气体气氛中进行所述的退火步骤。
3、根据权利要求2所述的方法，其中，在大约800到1000℃、在10到100乇压下进行所述的退火步骤，时间为0.5到2小时。
4、根据权利要求1所述的方法，其中，进行所述的选择腐蚀步骤，直到腐蚀积累氮的层。
5、根据权利要求1所述的方法，其中，在所述侧壁的方向形成所述的隔离层，厚度为100到700。
6、根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二凹进区具有100到500的深度。
7、根据权利要求1所述的方法，其中，在700到900℃进行所述的第一氧化工艺。
8、根据权利要求7所述的方法，其中，形成100到1000厚的所述牺牲氧化膜。
9、根据权利要求1所述的方法，其中，除去总厚度的80到100％的所述的牺牲氧化膜。
10、根据权利要求1所述的方法，其中，所述限制氧化层和隔离层各包含一个氮化物膜。
11、根据权利要求10所述的方法，其中，所述缓冲层包括一个氧化膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
