[发明专利]非易失性半导体存储器件

权利要求书

1.非易失性半导体存储器件包括含有P型主表面的半导体基片(7)，形成在所述主表面上的N型的漏区(2)和源区(1)，形成在所述漏区和所述源区之间的沟道，以及依次形成在所述沟道区上的第一绝缘薄膜(8)，悬浮栅(3，4)，第二绝缘薄膜(9)，和控制栅(5)，

其特征在于：

所述悬浮栅由第一悬浮栅(3)和第二悬浮栅(4)构成，所述第一和第二悬浮栅的下表面和所述第一绝缘薄膜(8)接触，以及所述第一和第二悬浮栅的上表面和所述第二绝缘薄膜(9)接触。

2.根据权利要求1的非易失性半导体存储器件，其特征在于：为了使所述第一悬浮栅(3)和所述第二悬浮栅(4)电气隔离，生成第三绝缘薄膜12。

3.根据权利要求1或2的非易失性半导体存储器件，其特征在于：生成所述第三绝缘薄膜(12)，是为了每个第一和第二沟道都能够使所述漏区(2)和所述源区(1)电气导通，所述第一沟道形成在所述第一悬浮栅(3)下的所述半导体基片(7)的表面以及所述第二沟道形成在所述第二悬浮栅(4)下的所述半导体基片(7)的表面。