[发明专利]用于制造磁头的方法

权利要求书

1.一种用于加工磁头的方法，包括步骤：

以二维布置在薄片上形成多个磁头，包括至少一个磁阻头；

从薄片上切下一模块，其上直线排列着多个磁头；

切削作为一个模块的所述磁阻头的磁阻头部分到规定高度；

将已切削模块分离成单个磁头；

其特征在于，用于监视元件高度切削的电阻监视图形包括第一电阻图形和第二电阻图形，第一电阻图形的表面积随减少磁阻头元件高度方向上的切削进展几乎线性减少，而第二电阻图形的表面积随减少磁阻头元件高度方向上的切削进展以几乎分段线性方式减少，电阻监视图形在所述薄片加工的同时形成在薄片模块上，且其特征在于，根据所述电阻监视图形的电阻值确定所述切削中减少元件高度的切削结束的时刻。

2.如权利要求1的用于加工磁头的方法，其特征在于，至少对多个断点确定所述第二电阻图形电阻值中出现断点时该点处所述第一电阻图形电阻值，且其特征在于，由所述多个电阻值预测所述磁阻头元件高度切削位置与所述第一电阻图形电阻值之间的关系，根据所述关系确立减少元件高度的所述切削的停止时刻。

3.如权利要求1的用于加工磁头的方法，其特征在于，所述磁头是复合磁头，其中薄膜记录头层叠在再现磁阻头上。

4.如权利要求1的用于加工磁头的方法，其特征在于，所述电阻监视图形设在模块的两端和中心部分。

5.如权利要求2的用于加工磁头的方法，其特征在于，至少对三个断点确定所述第二电阻图形电阻值变化中出现断点时该点处所述第一电阻图形的电阻值，且其特征在于，预测所述磁阻头元件高度切削位置与所述第一电阻图形电阻值之间关系的二阶曲线，根据所预测的二阶曲线确定目标元件高度处所述第一电阻图形的电阻值，所述第一电阻图形的实际测量值达到所述计算电阻值时，几乎同时停止减少元件高度的所述切削步骤的切削。

6.如权利要求2的用于加工磁头的方法，其特征在于，所述磁头是复合磁头，其中薄膜记录头层叠在再现磁阻头上。

7.如权利要求2的用于加工磁头的方法，其特征在于，所述电阻监视图形设在模块的两端和中心部分。

8.一种用于加工磁头的方法，包括步骤：

以二维布置在薄片上形成多个磁头，包括一个薄膜头；

从薄片上切下一模块，其上直线排列着多个磁头；

切削作为一个模块的所述薄膜头间隙到规定深度；

将已切削模块分离成单个磁头；

其特征在于，用于监视间隙深度切削的电阻监视图形包括第一电阻图形和第二电阻图形，第一电阻图形的表面积随减少薄膜头间隙深度方向上的切削进展几乎线性减少，而第二电阻图形的表面积随减少磁阻头元件高度方向上的切削进展以几乎分段线性方式减少，电阻监视图形在所述薄片加工的同时形成在薄片模块上，且其特征在于，根据所述电阻监视图形的电阻值确定所述切削中减少间隙深度的切削结束的时刻。

9.如权利要求8的用于加工磁头的方法，其特征在于，至少对多个断点确定所述第二电阻图形电阻值中出现断点时该点处所述第一电阻图形的电阻值，且其特征在于，由所述多个电阻值预测所述薄膜头间隙深度切削位置与所述第一电阻图形电阻值之间的关系，根据所述关系确立减少间隙深度的所述切削的停止时刻。

10.如权利要求8的用于加工磁头的方法，其特征在于，所述磁头是复合磁头，其中薄膜记录头层叠在再现磁阻头上。

11.如权利要求8的用于加工磁头的方法，其特征在于，所述电阻监视图形设在模块的两端和中心部分。

12.如权利要求9的用于加工磁头的方法，其特征在于，至少对三个断点确定所述第二电阻图形电阻值变化中出现断点时该点处所述第一电阻图形的电阻值，且其特征在于，预测所述薄膜头间隙深度切削位置与所述第一电阻图形电阻值之间关系的二阶曲线，根据所预测的二阶曲线确定目标间隙深度处所述第一电阻图形的电阻值，所述第一电阻图形的实际测量值达到所述计算电阻值时，几乎同时停止减少间隙深度的所述切削步骤的切削。

13.如权利要求9的用于加工磁头的方法，其特征在于，所述磁头是复合磁头，其中薄膜记录头层叠在再现磁阻头上。