[发明专利]用于制造磁头的方法

说明书

本发明涉及一种制造磁头的方法，包括步骤：生长薄膜，用于至少包括薄片上二维布置中一个磁阻头和一个薄膜头的磁头；从薄片上切下一模块，其上直线排列着多个磁头；切削模块单元中的磁阻头元件高度(磁阻头部分的高度)或薄膜头间隙深度到所需值；以及在上述加工后通过分离模块制造单个磁头。

提供用于高密度的再现磁头的公知装置是使用磁阻元件的磁阻头装置，其电阻响应磁场强度。这种头称作磁阻头(MR头)，有利用各向异性磁阻效应的AMR(各向异性)头，以及利用巨磁阻效应的GMR(巨磁阻)头。

AMR头包括由如NiFeCr(镍-铁-铬)的磁化磁材料制成的软相邻层，非磁中心Ta(钽)层，由如NiFe(铁氧体)的材料制成的磁阻(MR)层，基本磁化且由反铁磁材料的FeMn(铁-锰)制成的BCS(边界控制稳定)层，以及一对用于提供检测电流的导电层，它们以对应记录轨道宽度的距离并列布置在BCS层上，这些层依此顺序层叠，制造磁阻效应元件，利用BCS层在记录轨道宽度方向上将磁偏加至磁阻层，通过软相邻层在垂直BCS层磁偏的方向上将磁偏加至磁阻层。

GMR头中，利用巨磁阻效应，可取得明显高于AMR头的密度。GMR头的磁阻元件部分也具有层叠结构，其中多个磁性层与插入的非磁性层，一对用于提供检测电流的导电层层叠，这对导电层以对应记录轨道宽度的距离并列布置，安装在磁阻元件部分。

上述磁阻头只能再现，不能用于记录。为此，它通常与进行记录的薄膜头混合使用，形成复合磁头。

图1显示复合磁头的主件，而图2是显示图1中磁阻元件部分和导电层的平面图。

上述图中，标记10表示磁记录介质上的轨道，20表示将信息记录在磁记录介质上的薄膜头形成的记录头部分，而30表示完成再现信息的磁阻头形成的再现部分。记录头部分20包括由如NiFe制成的下磁极21，相对下磁极且由如NiFe制成的上磁极22，以及激励这些磁极21和22的线圈23，记录头部分使信息记录在磁记录介质的轨道10上。在围绕线圈23的空间中，设有非磁绝缘层24，它由Al₂O₃或类似物制成，以便其间不剩余空间。

再现头30由AMR头，GMR头或类似物形成，且在磁阻元件部分30A上，一对用于提供检测电流至磁阻元件部分30A的导电层31，其间距离对应距离轨道宽度。

参照图3说明记录头部分20和再现头部分30的层叠情况。图3是截面图，它显示从磁记录介质观察磁头间隙区的层叠构造。图3中，标记25表示一陶瓷基片，其上形成Al₂O₃或类似物的非磁绝缘层26，NiFe或类似物的下屏蔽层27，以及Al₂O₃或类似物的非磁绝缘层28，依那个顺序，在该非磁绝缘层28顶上形成再现头30的磁阻元件部分30A。如果再现头30的磁阻元件部分30A由AMR头形成，软相邻层，由Ta或类似物制成的非磁中心层，由NiFe或类似物制成的磁阻层，且由FeMn或类似物制成BCS层依那个顺序形成在非磁绝缘层28上。在该磁阻元件部分30A的顶上，形成一对导电层31，用于提供至磁阻元件部分30A的检测电流，这些层间的距离对应记录轨道宽度。

而且，非磁绝缘层32形成在磁阻元件部分30A和导电层31上，且在此顶上形成记录头部分20。即，顺序形成由NiFe或类似物制成的下磁极(下屏蔽层)21，线圈23(图3中未示出)，由Al₂O₃或类似物制成的非磁绝缘层24，以及由NiFe或类似物制成的上屏蔽层22。然后，最后在上磁极22的外侧上形成由Al₂O₃或类似物制成的保护层33，以便覆盖记录头部分20的表面。

制造具有上述结构的磁头时，加工包括步骤：在薄片上生长膜，以便多个磁头在二维布置上排列，从薄片上切割下其中以直线排列多个磁头的模块，切削模块单元中磁阻头元件高度或薄膜头间隙深度至所需值，并在上述加工后通过分离模块制造单个磁头。

这样做，需要通过研磨或类似加工将磁阻头元件高度(图13中磁阻元件部分30A的上/下方向宽度)或薄膜头间隙深度(图13中间隙部分上/下方向宽度)切削至精确值，由于临界效应，这影响磁头特性。这种切削以上述步骤进行。通过研磨或类似加工将作为模块的待切削的磁阻头元件高度或薄膜头间隙深度切削至给定值的公知方法是，形成切削参考电阻图形，它随着薄片加工处模块上的切削进展而减小，并在切削参考电阻图形的电阻值达到规定值时的点处停止切削。