[实用新型]浮式传输门无效
| 申请号： | 96207489.6 | 申请日： | 1996-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN2289349Y | 公开（公告）日： | 1998-08-26 |
| 发明（设计）人： | 黄群 | 申请（专利权）人： | 黄群 |
| 主分类号： | H03H2/00 | 分类号： | H03H2/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100026 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 传输 | ||
【权利要求书】：
1、由浮式金属氧化物半导体场效应晶体管即浮式MOSFET构成的浮式传输门，其特征是由二个相同或互补的浮式MOSFET组成。
2、根据权利要求1所述的浮式传输门的特征是：二个相同的浮式MOSFET的栅极分别通过电容后，一个接往传输门的输入端，另一个接往传输门的输出端，而二个浮式MOSFET的衬底连在一起后，可经过一个电容器接往浮式MOSFET的源极或漏极。
3、根据权利要求1和2所述的浮式传输门的特征是：二个相同的浮式MOSFET的源极和源极、漏极和漏极连在一起，并分别接往浮式传输门的输入端和输出端。
4、根据权利要求1所述的浮式传输门的特征是：二个互补的浮式MOSFET的栅极分别通过电容器后，一同接往浮式传输门的输入端或输出端，而二个互补的浮式MOSFET的衬底可分别经过电容器后一同接往浮式MOSFET的源极或漏极。
5、根据权利要求1和4所述的浮式传输门的特征是：二个互补的浮式MOSFET之一的源极和另一个浮式MOSFET的漏极连在一起，分别接往浮式传输门的输入端和输出端。
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