[实用新型]浮式传输门

说明书

本实用新型涉及一种由在一共用基片内形成的多个PN结组成的器件，具体涉及由浮式金属氧化物半导体场效应晶体管即浮式MOSFET构成的模拟信号或数字信号的传输门。

现有的CMOS传输门如图1所示。其中G₁为P沟MOSFET的栅极，接电源电压的负极V_SS，故V_L＝V_GI＝V_SS，G₂为N沟MOSFET的栅极，接电源电压的正极V_DD，故V_H＝V_G2＝V_DD，其中V_L及V_H为N沟及P沟MOSFET的衬底电位。它的缺点是：所传输的信号电压V_in的幅值应满足V_H＞V_in＞V_L，而(V_H，V_L)区间的范围通常都不大，故使CMOS传输门的应用受到限制。

本实用新型的目的是要提供一种浮式传输门，它所允许传输的信号V_in的幅值将比CMOS传输门较为拓宽。

本实用新型的目的是这样实现的：将浮式MOSFET按相同或互补的关系两两组合：二个相同的浮式MOSFET的栅极分别通过电容后，一个接往传输门的输入端，另一个接往传输门的输出端，而二个浮式MOSFET的衬底连在一起后，可经过一个电容器接往浮式MOSFET的源极或漏极。二个相同的浮式MOSFET的源极和源极、漏极和漏极连在一起，并分别接往浮式传输门的输入端和输出端。如图2、图3。对于二个互补的浮式MOSFET的栅极分别通过电容器后，一同接往浮式传输门的输入端或输出端，而二个互补的浮式MOSFET的衬底可分别经过电容器后一同接往浮式MOSFET的源极或漏极。二个互补的浮式MOSFET之一的源极和另一个浮式MOSFET的漏极连在一起，分别接往浮式传输门的输入端和输出端。如图4。图2图3图4中的传输门称为浮式传输门。由于浮式传输门使用了传输信号V_in不受栅极(或衬底)电位限制的浮式MOSFET，故浮式传输门所传输的信号V_in将不再受(V_DD，V_SS)或衬底电位(V_H，V_L)的限制。

本实用新型的优点是：它所允许传输的信号V_in的幅值将比CMOS传输门较为拓宽。

下面结合附图对本实用新型作进一步详细说明：

图1是现有的CMOS传输门的结构图。图2是由二个相同的N沟浮式MOSFET组成的浮式传输门的结构图。图3是由二个相同的P沟浮式MOSFET组成的浮式传输门的结构图。图4是由二个互补的N沟和P沟浮式MOSFET组成的浮式传输门的结构图。

由于浮式传输门所传输的信号电压V_in的范围比现有的CMOS传输门大，故浮式传输门在模拟电路中将可能实施应用，例如用作双向模拟开关等。