[发明专利]半导体器件的体接触结构无效
| 申请号： | 97100726.8 | 申请日： | 1997-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN1068458C | 公开（公告）日： | 2001-07-11 |
| 发明（设计）人： | 权五敬 | 申请（专利权）人： | LG半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余朦 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 接触 结构 | ||
【权利要求书】：
1．一种半导体器件的体接触结构，包括：
导电衬底；
第一和第二并列的导电源区；
形成于延展的源区上且被延展的源区分裂成多个部分的条形导电体接触扩散层；
使每个体接触扩散层部分与邻近的体接触扩散层部分及形成于邻近体接触扩散层部分之间的延展源区连接而形成的立方形接触布线金属层。
2．根据权利要求1的半导体器件的体接触结构，其特征在于，所述体接触扩散层部分形成于延展的源区中，所述体接触扩散层部分交替地形成于其中。
3．根据权利要求1的半导体器件的体接触结构，其特征在于，所述体接触扩散层通过垂直于源区的纵向轴切掉其边缘部分形成，从而形成一斜切的部分。
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