[发明专利]制备有缺陷集成电路平面图样品和测量其中疵点的方法

权利要求书

1.一种制备透射电子显微镜观测用的有缺陷的集成电路的平面图样品的方法，其特征在于包括以下步骤：

(a)给所述集成电路中的有缺陷的电路元件做记号，

(b)从所述集成电路中切出小到能够被夹持在所述透射电子显微镜中的样品，所述样品具有上表面和与所述上表面相对的下表面，所述有缺陷的电路元件位于所述样品的上表面附近，

(c)既研磨所述上表面、也研磨所述下表面，从而把所述样品的所有部分减薄到小于200微米的厚度，

(d)在所述有缺陷的电路元件下面的区域，进一步把所述样品的下表面减薄到小于1微米的厚度，使得所述透射电子显微镜中的电子束能够穿透所述样品。

2.权利要求1的方法，其特征在于：在所述步骤(c)中，把所述上表面研磨到镜面光泽度。

3.权利要求1的方法，其特征在于所述步骤(d)还包括以下步骤：

在所述下表面中形成凹坑，以及

对所述凹坑中的所述下表面进行离子铣。

4.权利要求1的方法，其特征在于：

所述集成电路包括基片和多层覆盖所述基片的上层，以及

在所述步骤(c)中，把所述上表面一直研磨到所述基片的曝露的区域的边界到达离开所述有缺陷的电路元件预定距离的地方为止。

5.权利要求4的方法，其特征在于：在所述步骤(c)中研磨所述样品时使所述样品能够旋转，使得在所述有缺陷的电路元件的所有侧面，所述基片都曝露出来。

6.权利要求4的方法，其特征在于：在所述步骤(c)中研磨所述上表面时以预定的角度夹持所述样品，使得当所述基片的所述曝露的区域的边界到达离开所述有缺陷的电路元件所述预定的距离的地方时，在所述有缺陷的电路元件的上方留下已知厚度的所述上层。

7.权利要求1的方法，其特征在于还包括以下步骤：

沿着设置在离开所述有缺陷的电路元件一定距离处的线切下所述样品，从而在离开所述有缺陷的电路元件处形成切割边缘。

8.权利要求7的方法，其特征在于所述步骤(d)包括以下步骤：

按照相对于所述切割边缘的一定的位置关系形成凹坑，使得所述凹坑在所述有缺陷的电路元件下面的中心处。

9.权利要求8的方法，其特征在于所述步骤(d)包括以下步骤：对所述凹坑中的所述下表面进行离子铣。

10.权利要求7的方法，其特征在于所述步骤(d)包括以下步骤：

以一定的角度夹持所述样品、并且研磨所述下表面、直至所述切割边缘变成刀口，从而在所述有缺陷的电路元件的下面留下已知厚度的所述基片。

11.测量其基片被各上层覆盖的集成电路中的疵点的方法，所述疵点处在所述基片中，其特征在于包括以下步骤：

制备所述集成电路的平面图样品，该样品处处具有小于200微米的厚度、在所述疵点处具有小于1微米的厚度、并且具有在所述疵点上方的所述上层的已知厚度，

把所述样品置于透射电子显微镜中，

测量在所述电子显微镜中、在所述疵点附近电子束被所述样品散射的情况，以及

从所述测量结果中扣除所述上层的所述已知厚度的影响。

12.权利要求11的方法，其特征在于所述测量步骤使用元素分析法。

13.权利要求11的方法，其特征在于还包括以下步骤：

把所述样品以各种角度倾斜在所述透射电子显微镜中。

14.权利要求13的方法，其特征在于所述测量步骤使用双束方法。

15.权利要求11的方法，其特征在于所述制备步骤还包括以下步骤：

使所述样品以预定的角度紧贴在抛光盘上，以及

把所述样品的上表面研磨到镜面光泽度，一直研磨到所述基片曝露于离开所述疵点一定距离的范围之内。