[发明专利]绝缘层上有硅的动态随机存取存储器及其制作方法

权利要求书

1、一种绝缘层上有硅的动态随机存取存储器，该存储器包括：

(a)一基底，具有硅表层，并覆盖着硅氧化埋层；

(b)一场绝缘区域，形成于该基底的表面，延伸过该基底的硅表层，并与该硅氧化埋层接触，限定出该硅表层上的有源器件区；

(c)一第一和第二源/漏极区，形成于该有源器件区之中，为该硅表层上的通道区：

(d)一栅极氧化层，形成在该通道区上；

(e)一栅极电极，在栅极氧化层上；

(f)一沟槽，穿过该第一和第二源/漏极区，通过硅表层且进入硅氧化埋层中：

(g)一下电容电极，延伸至该沟槽；

(h)一介电层，在该下电容电极上；以及

(i)一上电容电极。

2、如权利要求1所述的存储器，其中该下电容电极包含多晶硅的第一层，连接于该第一源/漏极区和该硅氧化埋层。

3、如权利要求2所述的存储器，其中该下电容电极延伸过该硅氧化埋层和该多晶硅的第一层，连接于该硅氧化埋层之下的基底。

4、如权利要求3所述的存储器，其中该下电容电极延伸进入在该硅氧化埋层之下的基底，深度至少为1000埃。

5、如权利要求2所述的存储器，其中该场绝缘区域包含硅氧化物。

6、如权利要求2所述的存储器，其中该场绝缘区域包含硅氧化物。

7、如权利要求6所述的存储器，包括一绝缘薄膜，覆盖在栅极上，沟槽延伸过绝缘薄膜，而下电容电极延伸于该绝缘薄膜表面。

8、一种绝缘层上有硅的动态随机存取存储器的制作方法，该方法的步骤包括：

(a)提供一基底，具有硅表层，并覆盖着硅氧化埋层；

(b)在该硅表层形成一场绝缘区域，以限定出该硅表层上的有源器件区；

(c)在该有源器件区域上形成一氧化层；

(d)在该氧化层上形成多个栅极；

(e)在该硅表层上形成一第一和第二源/漏极区；

(f)在该栅极上沉积一绝缘层；

(g)在该绝缘层上利用已经开放在第一源/漏极区上的物质形成一光致抗蚀剂掩模；

(h)穿过该绝缘层、第一源/漏极区、该硅表层和硅氧化埋层，蚀刻多个沟槽；

(i)沉积一第一多晶硅层以排列该沟槽，并对该第一多晶硅层构图，形成一下电容电极；

(j)在该下电容电极上提供一介电层；以及

(k)沉积一第二多晶硅层，以形成一上电容电极。

9、如权利要求8所述的方法，其中该第一和第二源/漏极区通过在基底中注入杂质而形成的。

10、如权利要求8所述的方法，其中该第一和第二源/漏极区利用该栅极作部分掩模，在该栅极两侧形成该第一和第二源/漏极区。

11、如权利要求8所述的方法，其中该下电容电极形成时与该第一源/漏极区相接触。

12、如权利要求9所述的方法，其中该下电容电极中掺杂有杂质，且在沉积该第一多晶硅层之后，通过退火可以将杂质从该下电容电极扩散到该硅表层中。

13、如权利要求9所述的方法，其中该基底形成在注入氧化物离子的硅基底上。

14、如权利要求8所述的方法，其中该沟槽穿过该第一源/漏极区，并且遗留部分的该第一源/漏极区在该沟槽的两侧。