[发明专利]半导体器件的静电保护电路及其结构

权利要求书

1、一种半导体器件的静电保护结构，系与一焊垫连接，其特征在于包括：

一衬底，

至少一个金属氧化物半导体晶体管，形成于该衬底，该半导体晶体管具有源/漏极扩散区、一在该源/漏极扩散区间的沟道区、及自该源/漏极扩散区向沟道区延伸的浅掺杂源/漏极，

一焊垫扩散区，形成于上述半导体晶体管的漏极扩散区侧，用以与该焊垫及半导体器件连接，及

一浅掺杂电阻，形成于该焊垫扩散区与漏极扩散区之间，用以使上述静电电压自该焊垫输入时，在该电阻处产生压降。

2、如权利要求1所述的结构，其特征在于，该焊垫为一输入/输出垫。

3、如权利要求1所述的结构，其特征在于，该衬底为一P型硅衬底。

4、如权利要求3所述的结构，其特征在于，该电阻为一浅掺杂N型离子扩散区。

5、一种半导体器件的静电保护结构，系与一焊垫连接，其特征在于包括：

一衬底，

至少一金属氧化物半导体晶体管，形成于该衬底，该半导体晶体管具有源/漏极扩散区、一在该源/漏极扩散区间之沟道区、及自该源/漏极扩散区向沟道区延伸之浅掺杂源/漏极，

一焊垫扩散区，形成于上述半导体晶体管的漏极扩散区侧，用以与该焊垫及半导体器件连接，及

一阱电阻，形成于该焊垫扩散区与漏极扩散区之间，用以使上述静电电压自该焊垫输入时，在该电阻处产生压降。

6、如权利要求5所述的结构，其特征在于，该焊垫为一输入/输出垫。

7、如权利要求5所述的结构，其特征在于，该衬底为一P型硅衬底。

8、如权利要求7所述的结构，其特征在于，该电阻为一N阱电阻。

9、一种半导体器件的静电保护电路，系与一焊垫连接，其特在于包括：

至少一金属氧化物半导体晶体管，其源极接地，栅极则控制该半导体晶体管导通与否，

至少一浅掺杂电阻，一端连接所对应该半导体晶体管的漏极，另一端则分别与该焊垫、半导体器件连接，用以于上述静电电压自该焊垫输入时，在该电阻处产生压降，及

一寄生双极型晶体管，其基极、发射极接地，集电极分别与该焊垫、浅掺杂电阻、及半导体器件连接，用以传导因该静电放电产生之电流。

10、如权利要求9所述的电路，其特征在于，该半导体器件为一拉升晶体管。

11、如权利要求10所述的电路，其特征在于，该金属氧化物半导体晶体管为一拉降晶体管。

12、一种半导体器件的静电保护电路，系与一焊垫连接，其特在于包括：

至少一金属氧化物半导体晶体管，其源极接地，栅极则控制该电晶体导通与否，

至少一阱电阻，一端连接所对应该晶体管之漏极，另一端则分别与该焊垫、半导体器件连接，用以于上述静电电压自该焊垫输入时，在该电阻处产生压降；及

一寄生双极型晶体管，其基极、发射极接地，集电极分别与该焊垫、浅掺杂电阻、及半导体器件连接，用以传导因该静电放电产生的电流。

13、如权利要求12所述的电路，其特征在于，该半导体器件为一拉升晶体管。

14、如权利要求13所述的电路，其特征在于，该金属氧化物半导体晶体管为一拉降晶体管。