[发明专利]临界温度典型值为95K的钕钡铜氧高温超导外延薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 97107701.0 | 申请日： | 1997-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN1059984C | 公开（公告）日： | 2000-12-27 |
| 发明（设计）人： | 李言荣;徐进 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L39/24 | 分类号： | H01L39/24;H01B12/06;C04B35/50 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利事务所 | 代理人： | 严礼华 |
| 地址： | 610054 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 临界温度 典型 95 钕钡铜氧 高温 超导 外延 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.钕钡铜氧高温超导薄膜的制备方法其特征是采用了倒筒式直流溅射方法，使制出的Nd1Ba2Cu3O7-δ薄膜的临界温度Tco的典型值达到95K，其具体的制作技术为：
(1)选用Nd1Ba2Cu3O7-δ圆柱靶材；
(2)基片为LaAO3(100)单晶片，靶基距为8cm；
(3)溅射条件：
气氛：氧氩混合气体 O2∶Ar＝1∶2～3.3，总压60～65Pa
电流：0.2～0.7A
基片温度：750℃～770℃
时间：10～18h
(4)后处理工序：溅射完后关掉Ar气，样品在氧等离子体中降温至390℃后充入8×104Pa纯氧，保温8分钟后自然冷却至100℃以下。
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