[发明专利]在存储单元的电容器阵列上制作位线的方法

权利要求书

1.一种在存储单元的电容器阵列上制作位线的方法，在一衬底上两个分离的转移栅之间提供一漏极区，该分离的转移栅在该漏极的相反两侧具有源极；该分离的转移栅具有内部侧壁面朝向该漏极，并具有外部侧壁面朝向该源极；且该分离的转移栅具有转移栅上表面；该衬底具有分离的场氧化物区界定出包含该源极与漏极的有源区；其步骤包含：

a)在该漏极，该转移栅的该内部侧壁，与该转移栅上表面上形成至少一第一绝缘层；

b)在该源极上，该转移栅的该外部侧壁，以及该转移栅上表面上形成存储电极；该存储电极形成到达该漏极的电连接；

c)在该存储电极上形成一电容电介质层；

d)至少在该电容电介质层，以及该第一绝缘层上形成一第一导电层；

e)在该第一导电层上形成一金属间电介质层；

f)在该第一金属间电介质层中，在该漏极之上形成一第一开口，曝露出该漏极上的该第一导电层；该第一开口至少以该金属间电介质层的侧壁界定；

g)各向异性蚀刻在该第一接触窗内曝露出的该第一导电层；各向异性的蚀刻该漏极上曝露出的该第一绝缘层；各向异性的蚀刻也在该第一开口内为该第一导电层形成侧壁；

h)在该金属间电介质层与该第一导电层的侧壁上形成电介质间隔层；并至少由该电介质间隔层界定形成一第二开口；与

i)在接触该漏极的该第二开口中形一位线接触塞。

2.如权利要求1的方法，其中形成该存储电极的步骤(b)包含在该源极与该漏极上形成一多晶硅层；并掩蔽且蚀刻该多晶硅层，留下在该漏极上、该外部侧壁上、与该栅极电极上表面的一部分上的多晶硅层。

3.如权利要求1的方法，其中该第一导电层由掺杂的多晶硅层构成，其具有的杂质浓度范围为1E15至2E16原子/cm²之间，且该第一导电层具有1,000至2,000范围之间的厚度，且该第一导电层被形成在整个衬底表面上。

4.如权利要求1的方法，其中在该第一金属间电介质层中形成该第一接触窗的步骤(f)包含形成具有一开口的一第一掩蔽层；与通过该开口而各向异性地蚀刻该第一金属间电介质层，以及除去该第一掩蔽层。

5.如权利要求1的方法，其中该电介质层由选自氧化硅与氮化硅中的一种材料所构成；且该电介质层具有45至60范围之间的厚度。

6.如权利要求1的方法，其中该步骤(g)中的各向异性蚀刻是使用包含氯化物气体的一种活性离子蚀刻工艺。

7.如权利要求1的方法，其中该第一绝缘层由厚度为1,000至2,000范围之间的氧化硅构成。

8.如权利要求1的方法，其中该金属间电介质层由BPSG构成，并具有为5,000至10,000范围之间的厚度。

9.如权利要求1的方法，其中该电介质间隔层利用在该第一开口中，在该第一绝缘层上，且在该金属间电介质层与该第一导电层的侧壁上形成一电介质层而构成；且通过该第一开口，对该电介质层与该第一绝缘层进行各向异性蚀刻，以曝露出该漏极，并因而形成一第二开口，且界定在该金属间电介质层与该第一导电层的侧壁上的电介质间隔层。

10.如权利要求1的方法，其中，还包含在该金属间电介质层与该位线塞上形成一保护层与一经成像的金属层。

11.如权利要求1的方法，其中该间隔层由选自氧化硅与氮化硅中的一种材料构成；且该电介质层具有400至600范围之间的厚度。

12.如权利要求1的方法，其中所述金属间电介质层是由未掺杂的氧化硅构成的。