[发明专利]芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺薄膜和用其制作的磁记录介质无效

专利信息
申请号: 97110247.3 申请日: 1997-02-27
公开(公告)号: CN1066750C 公开(公告)日: 2001-06-06
发明(设计)人: 筑木稔博;末冈雅则;伊藤伸明 申请(专利权)人: 东丽株式会社
主分类号: C08J5/18 分类号: C08J5/18;C08L77/00;C08L79/08;G11B5/62
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 杨丽琴
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 聚酰胺 聚酰亚胺 薄膜 制作 记录 介质
【权利要求书】:

1、一种芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺薄膜,其特征在于,该薄膜是以芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺作为主要成分,并在该成分中含有粒子的薄膜,和该薄膜的至少一面上,粒子浓度最初显示极大值的深度作为dmax、在比dmax深从薄膜表面到1μm的范围内的粒子显示最小值或极小值的深度作为dmin,各深度的粒子浓度作为ρ(d)时要满足下式:

10nm≤dmax≤300nm           (1)

3≤ρ(dmax)/ρ(dmin)≤100   (2)

2、一种芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺薄膜,其特征在于,该薄膜是以芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺作为主要成分,并在该成分中含有粒子的薄膜,和在该薄膜的至少一面上,粒子浓度最初显示极大值的深度作为dmax,在比dmax深从薄膜表面到1μm的范围内的粒子显示最小值或极小值的深度作为dmin,比dmax深粒子浓度分布曲线的1次微分值显示负的变曲点的深度作为d”(但是,d”只是在从ρ(d)成为ρ(dmax)在4/5到dmin之间定义),在各深度的粒子浓度作为ρ(d)时,要满足下式:

10nm≤dmax≤300nm           (3)

3≤ρ(dmax)/ρ(d")≤100     (4)

ρ(dmax)/ρ(dmin)>100      (5)

3、按照权利要求1或2中记载的芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺薄膜,薄膜中所含粒子在薄膜中的平均粒径为5nm~500nm,而且粒子的粒径分布的相时标准偏差为0.7以下。

4、按照权利要求1~3的任一项中记载的芳香族聚酰胺和/或芳香族聚酰亚胺薄膜,其特征在于,在满足(1)式或(2)式,或(3)式~(5)式的面的里面粒子浓度最初显示极大值的深度作为Dmax时(但是,Dmax是满足(1)或(2)式,或(3)式~(5)式时,作为ρ(dmax)≥ρ(Dmax)定义的)要满足:

ρ(dmax)/ρ(Dmax)≥1.2         (6)

5、按照权利要求1~4的任一项中记载的芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺薄胺,其特征在于,满足薄膜的(1)式和(2)式,或(3)式~(5)式的至少一面内形成的表面突起的平均高度h、突起高度的分布的相对标准偏差ρ/h和平均突起高度h的1/3以下的高度的突起个数占全突起数的比例ρ1/3要满足下式:

  5nm≤h≤100nm           (7)

  σ/h≤0.7               (8)

  P1/3≤20%             (9)

6、按照权利要求1~5的任何一项中记载的芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺薄膜,其特征在于,在满足薄膜的(1)式和(2)式,或(3)式~(5)式的至少一面内,从dmax到离薄膜表面1μm的厚度范围内具有粒子浓度的极小值。

7、按照权利要求1-6的任何一项中记载的芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺薄膜,其特征在于,薄膜厚度为6.5μm以下。

8、按照权利要求1~7的任何一项中记载的芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺薄膜,其特征在于,该薄膜是单层结构或实质上是单层结构。

9、一种磁记录介质,其特征在于,在满足权利要求1~8的任何一项中记载的芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺薄膜的(1)式和(2)式,或(3)式~(5)式的至少一面上形成磁性层。

10、一种磁记录介质,其特征在于,在满足权利要求1~9的任何一项中记载的芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺薄膜的(1)式或(2)式,或(3)式~(5)式的面的反面上形成磁性层。

11、按照权利要求9或10中记载的磁记录介质,其特征在于,它是宽为2.3~13.0mm、膜厚为6.5μm以下、长度为100m/卷以上,作磁记录介质的记录密度为8千磁道(8千字节)/mm2以上的磁带。

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