[发明专利]芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺薄膜和用其制作的磁记录介质无效
申请号: | 97110247.3 | 申请日: | 1997-02-27 |
公开(公告)号: | CN1066750C | 公开(公告)日: | 2001-06-06 |
发明(设计)人: | 筑木稔博;末冈雅则;伊藤伸明 | 申请(专利权)人: | 东丽株式会社 |
主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18;C08L77/00;C08L79/08;G11B5/62 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨丽琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 聚酰胺 聚酰亚胺 薄膜 制作 记录 介质 | ||
1、一种芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺薄膜,其特征在于,该薄膜是以芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺作为主要成分,并在该成分中含有粒子的薄膜,和该薄膜的至少一面上,粒子浓度最初显示极大值的深度作为dmax、在比dmax深从薄膜表面到1μm的范围内的粒子显示最小值或极小值的深度作为dmin,各深度的粒子浓度作为ρ(d)时要满足下式:
10nm≤dmax≤300nm (1)
3≤ρ(dmax)/ρ(dmin)≤100 (2)
2、一种芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺薄膜,其特征在于,该薄膜是以芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺作为主要成分,并在该成分中含有粒子的薄膜,和在该薄膜的至少一面上,粒子浓度最初显示极大值的深度作为dmax,在比dmax深从薄膜表面到1μm的范围内的粒子显示最小值或极小值的深度作为dmin,比dmax深粒子浓度分布曲线的1次微分值显示负的变曲点的深度作为d”(但是,d”只是在从ρ(d)成为ρ(dmax)在4/5到dmin之间定义),在各深度的粒子浓度作为ρ(d)时,要满足下式:
10nm≤dmax≤300nm (3)
3≤ρ(dmax)/ρ(d")≤100 (4)
ρ(dmax)/ρ(dmin)>100 (5)
3、按照权利要求1或2中记载的芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺薄膜,薄膜中所含粒子在薄膜中的平均粒径为5nm~500nm,而且粒子的粒径分布的相时标准偏差为0.7以下。
4、按照权利要求1~3的任一项中记载的芳香族聚酰胺和/或芳香族聚酰亚胺薄膜,其特征在于,在满足(1)式或(2)式,或(3)式~(5)式的面的里面粒子浓度最初显示极大值的深度作为Dmax时(但是,Dmax是满足(1)或(2)式,或(3)式~(5)式时,作为ρ(dmax)≥ρ(Dmax)定义的)要满足:
ρ(dmax)/ρ(Dmax)≥1.2 (6)
5、按照权利要求1~4的任一项中记载的芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺薄胺,其特征在于,满足薄膜的(1)式和(2)式,或(3)式~(5)式的至少一面内形成的表面突起的平均高度h、突起高度的分布的相对标准偏差ρ/h和平均突起高度h的1/3以下的高度的突起个数占全突起数的比例ρ1/3要满足下式:
5nm≤h≤100nm (7)
σ/h≤0.7 (8)
P1/3≤20% (9)
6、按照权利要求1~5的任何一项中记载的芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺薄膜,其特征在于,在满足薄膜的(1)式和(2)式,或(3)式~(5)式的至少一面内,从dmax到离薄膜表面1μm的厚度范围内具有粒子浓度的极小值。
7、按照权利要求1-6的任何一项中记载的芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺薄膜,其特征在于,薄膜厚度为6.5μm以下。
8、按照权利要求1~7的任何一项中记载的芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺薄膜,其特征在于,该薄膜是单层结构或实质上是单层结构。
9、一种磁记录介质,其特征在于,在满足权利要求1~8的任何一项中记载的芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺薄膜的(1)式和(2)式,或(3)式~(5)式的至少一面上形成磁性层。
10、一种磁记录介质,其特征在于,在满足权利要求1~9的任何一项中记载的芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺薄膜的(1)式或(2)式,或(3)式~(5)式的面的反面上形成磁性层。
11、按照权利要求9或10中记载的磁记录介质,其特征在于,它是宽为2.3~13.0mm、膜厚为6.5μm以下、长度为100m/卷以上,作磁记录介质的记录密度为8千磁道(8千字节)/mm2以上的磁带。
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