[发明专利]芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺薄膜和用其制作的磁记录介质

说明书

本发明涉及的是可适用于制作磁记录介质的芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺薄膜。

芳族聚酰胺或芳族聚酰亚胺薄膜，具有优良的耐热性和机械特性，所以已提出，例如作为录音和录象带用的带基薄膜的使用。在此情况下，与一直使用着的聚酯薄膜一样要求同时具有为抑制与磁头摩擦的易滑性和为得到高输出性的平滑性。为了同时满足该特性，在芳族聚酰胺或芳族聚酰亚胺薄膜中含有不活性粒子是有效的办法，例如，在特公平5-36849号公报等中公开的技术是已知的。另外，为了更严密地表面控制，而将限制了粒径与层厚之比的层叠层起来的膜的实例，已在特开平3-114830号公报、特开平3-119512号公报、特开平4-6079号公报等中被公开。

近年来，摄象机在户外使用的增加，或小型化、和记录时间的长时间化的要求，以及作为计算机数据的廉价的大容量的记录介质，则要求所用的薄膜即使在过分苛刻的条件下其耐久性也是优良的，且是具有高可信度的输入输出特性的磁记录介质。

但是，在芳族聚酰胺或芳族聚酰亚胺中只简单地含有粒子时，只是所含粒子的一部分被有效地使用，尤其是也不能控制表面，因此不得不说，作为有耐久性和可信度的磁记录介质是不充分的。另外，对于作为具有特定的表层构造的叠层薄膜要更严密地进行控制表面构造而言，当考虑用于芳族聚酰胺或芳族聚酰亚胺制膜的溶液制膜法时，由于使用复杂的装置系统而使生产性变差。另外，当粒子的种类、含量或芳族聚酰胺、芳族聚酰亚胺的成分不同时，叠层的各层的薄膜形成力当然也不同。所以要发生横向卷缩，从而极难得到具有如当初设计的叠层构成的薄膜。

本发明的目的在于提供一种作为磁记录介质用带基薄膜可以很适用的芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺薄膜，所说的薄膜，即使是单层膜，也可得到具有控制良好的表面特性的薄膜，并且作为磁记录介质时的S/N之比高，移行性、耐磨损伤性和耐切削性优良，从而解决了上述诸问题。

为解决上述课颗，本发明的芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺薄膜，是以芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺作为主要成分，并在该成分中含有粒子的薄膜，并且该薄膜的特征在于，在其至少一面，粒子浓度最初显示极大值的深度作为dmax、比dmax更深从薄膜表面到1μm的范围的粒子浓度显示最小值或极小值的深度作为dmin，并令各个深度的粒子浓度为ρ(d)时，则满足下列公式：

10nm≤dmax≤300nm           (1)

3≤ρ(dmax)/ρ(dmin)≤100   (2)。

另外，关于本发明的芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺薄膜是以芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺作为主要成分，并在该成分中含有粒子的薄膜，该薄膜的特征在于其至少一面上，粒子浓度最初显示极大值的深度作为dmax、比dmax更深从薄膜表面到1μm范围的粒子浓度显示最小值或极小值的深度作为dmin、比dmax更深粒子浓度分布曲线的1次微分值显示负的变曲点的深度作为d″(但是，d″只在ρ(d)成为ρ(dmax)的4/5的深度到dmin之间定义)、各个深度的浓度作为ρ(d)时，则满足下列公式：

10nm≤dmax≤300nm           (3)

3≤ρ(dmax)/ρ(d")≤100     (4)

ρ(dmax)/ρ(dmin)＞100      (5)。

本发明通过规定芳族聚酰胺和/或芳族聚酰亚胺薄膜表面附近的厚度方向的粒子浓度分布，从而可以得到，在表面上可高密度地形成突起高度整齐的突起，所以是一种在作为磁记录介质时的S/N之比高、走带性和耐擦痕性优良的薄膜。另外，由于这些优良的特性，所以可以提高磁记录介质制造中等的走带性和耐磨擦损伤性，也可以提高加工生产性。

另外，关于本发明的磁记录介质，是由上述薄膜的，满式(1)和式(2)的，或者满足式(3)-式(5)的面或其反面上形成的磁性层构成的。

用于本发明的芳族聚酰胺，是含有用下面的通式(Ⅰ)和/或通式(Ⅱ)表示的重复单元50摩尔％以上的聚酰胺，优选的是由70摩尔％以上的重复单元构成的聚酰胺

-(NH-Ar₁-NH-CO-Ar₂-CO)-              (Ⅰ)

-(NH-Ar₃-CO)-                          (Ⅱ)