[发明专利]硅的精制方法及其精制装置无效

专利信息
申请号: 97111213.4 申请日: 1997-03-18
公开(公告)号: CN1167728A 公开(公告)日: 1997-12-17
发明(设计)人: 花泽和浩;阿部正道;马场裕幸;中村尚道;汤下宪吉;阪口泰彦;加藤嘉英;荒谷复夫 申请(专利权)人: 川崎制铁株式会社
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037;C30B13/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 杨松龄
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 精制 方法 及其 装置
【权利要求书】:

1一种硅的精制方法,通过电子束照射使保存在容器内的硅熔化,蒸发除掉该硅含有的易挥发性杂质元素,其特征是,容器材料为石墨,使硅熔化。

2如权1的方法,其特征是,使用多个容器,在上一个容器中供给固定原料硅,在供给当中或供给之后,照射电子束,使该固体原料硅熔化,在熔化中或固体原料硅熔化之后,把熔化的硅注入下一个容器,再一边作电子束照射,一边依次把该熔化硅注入下一个容器。

3如权1或2的方法,其特征是,使该容器材料石墨的杂质浓度比硅的精制目标杂质浓度还要低。

4如权1、2或3的方法,其特征是,容器材料的石墨密度要大于1.5g/cm3

5一种硅的精制装置,用电子束照射使保存在减压的容器内的硅熔化,除去该硅含有的易挥发性杂质元素,其特征是,备有:固体原料硅的供应部分,和设有把熔化硅注入下一个容器的器具的多个石墨容器,和熔化容器内硅的电子枪,和接纳熔化硅并使之凝固的接受器皿,所述各部分被设置于真空物内。

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