[发明专利]半导体器件封装

说明书

本发明涉及半导体器件的封装，特别涉及内引线的槽在内引线和腐蚀过的端部的上表面的一半处形成的半导体器件的封装。

目前，半导体芯片封装的发展趋势为增加衬底(例如印刷电路板)上的半导体芯片的安装密度。

然而，对具有管芯焊盘的常规半导体器件来说，由于管芯焊盘放置在封装体内的中央区域，并且与多个内引线相距指定的距离，所以封装内的半导体芯片的密度很低。

COL(芯片装在引线上)型封装的结构中管芯焊盘已被除去，并且半导体芯片的下表面直接安装在内引线的上表面。因此，封装内的半导体芯片的密度高于上文介绍的常规封装内的半导体芯片的密度。

常规COL半导体芯片的封装显示在图1至图3中。图1显示的是部分被切开的常规COL半导体芯片封装的透视图，图2为沿图1中线2-2所取的剖示图，图3为沿图1中线3-3所取的剖示图。

参考图1-3，半导体芯片10的下表面通过粘结装置20，例如聚酰亚胺带，直接安装在引线框的多个内引线30的上表面，该引线框在半导体芯片10的下表面已校准。半导体芯片10通过电连接装置，例如键合线50，与放置在半导体芯片10外侧的内引线30进行电连接。

此外，半导体芯片10、内引线30以及包括键合线50的电连接装置通过密封剂例如环氧树脂模塑混合物(EMC)得到单个的封装体60。与每个对应的内引线30一体的外引线40从密封的封装体60中伸出，弯成适于安装在衬底上的J形。

图4显示的是在封装的密封步骤中EMC沿图3方向流动的示意图。

参考图4，内引线30和半导体芯片10位于上模具310和下模具410之间形成的凹腔312和412内，凹腔用密封剂密封，密封剂是从下模具410的口414注入的。

在图中，箭头指示的是密封剂的流动方向，密封剂分布在分别对应的内引线30的左侧，而该内引线30直接安装在半导体芯片10的下表面。

也就是说，密封剂碰撞内引线30的右侧，密封剂流动的流速降低。之后，密封剂沿内引线30的后表面流动，并在内引线30的左侧形成涡流。密封剂的涡流由流速差异过大造成的。

特别是，对于内引线或大量的内引线之间间距较精细的情况，密封剂的涡流现象更严重。这种涡流会产生内部的孔隙和不完整的密封。

有水蒸汽渗透其中，内部的孔隙就会膨胀，而水蒸汽是在恶劣的条件下，例如高温、高压和潮湿，进行可靠性试验期间引入的。

此外，封装体60的不完整密封会恶化封装的机械强度。

因此，本发明的目的在于提供一种通过减小封装内部密封剂的流速差异来防止不完整的密封例如内部的孔隙的半导体芯片的封装。

要获得以上目的半导体器件的封装包括

一个半导体芯片；

多个具有槽的内引线，所述槽形成在安装到半导体芯片的下表面的内引线的上表面上；

将半导体芯片的下表面安装到内引线的上表面的粘结装置；

将半导体芯片电连接到分别对应的内引线的电连接装置；

密封半导体芯片、内引线、粘结装置和电连接装置的密封剂；

与分别对应的内引线为一体并从密封剂中伸出的多个外引线。

参考以下详细介绍并结合附图可更好的理解本发明的这些和其它特性和优点，其中类似的结构部件指定了类似的参考数字，其中：

图1为部分被切开的常规COL半导体芯片封装的透视图。

图2为沿图1中线2-2所取的剖示图。

图3为沿图1中线3-3所取的剖示图。

图4显示的是在封装的密封步骤中EMC沿图3方向流动的示意图。

图5为部分被切开的依照本发明的COL半导体芯片封装的透视图。

图6为沿图5中线6-6所取的剖示图。

图7为沿图5中线7-7所取的剖示图。

图8显示的是在封装的密封步骤中EMC沿图7方向流动的示意图。

下面将结合附图介绍本发明的优选实施例。

参考图5-7，半导体芯片110的下表面通过粘结装置120直接安装在引线框的内引线130的上表面，该引线框在半导体芯片110的下表面已校准。半导体芯片110通过电连接装置，例如键合线150，与放置在半导体芯片110外侧的内引线130进行电连接。

槽132在内引线130的部分上表面的宽度方向形成，而内引线的上表面安装在半导体芯片的下表面上。内引线130端部134的下表面通过冲压或腐蚀的方法部分腐蚀，端部134比内引线130的其它部分薄。