[发明专利]电可擦除可编程存储器的感测电路

权利要求书

1.一种电可擦除可编程存储器的感测电路，包括有：

一电流源产生电路，用以提供一定电流源，作为该感测电路在感测EEPROM存储器的“0”电位输出时所需的电流源；

一开关电路，在一启始控制信号控制之下，用以控制该电流源产生电路是否产生一定电流源；

一负载电路，具有一输出端以及一连接至EEPROM单元之信号输入端，其中该信号输入端用以接收该EEPROM单元之输出信息，于该电流源产生电路产生定电流时，且该EEPROM存储器单元送出“0”电位时，用以产生一与该定电流源相同的电流；

一反相放大电路，用以放大负载电路之输出端所送入的信息，其包括有一与非门，其与非门之其中一个输入端接至启始控制信号，另一端则接至负载电路的输出端；以及

一反相电路，连接至反相放大电路之输出端，以使该反相放大电路的输出信息与真正EEPROM单元内所存的信息相符，将信息正确地输出。

2.如权利要求1所述的电可擦除可编程存储器的感测电路，其特征是，该开关电路包括有一PMOS晶体管，其源极接至一高电位，而其栅极是接至启始控制信号，由该启始控制信号控制该晶体管的动作。

3.如权利要求1所述的电可擦除可编程存储器的感测电路，其特征是，该电流源产生电路包括有一PMOS晶体管及数个串连的NMOS晶体管，其中的PMOS晶体管之源极连接至高电位，漏极与栅极相接至该串连NMOS晶体管中之第一NMOS晶体管之漏极，该第一NMOS晶体管之栅极是连接至一偏压信号，由该偏压信号控制，而其余的NMOS晶体管栅极连接至启始控制信号，当启始控制信号为高电位时，该PMOS晶体管及各个NMOS晶体管构成一串联电阻回路，以提供一定电流源。

4.如权利要求1所述的电可擦除可编程存储器的感测电路，其特征是，该负载电路是由一PMOS晶体管以及一NMOS晶体管所构成，其中该PMOS晶体管之源极是接至高电位，其漏极作为该负载电路的输出端，其栅极接至电流源产生电路中的PMOS晶体管漏极，而与该PMOS晶体管构成一电流镜像电路结构；该NMOS晶体管之源极接至EEPROM单元，用以接收该单元送来的信息，其栅极连接至偏压信号，由该偏压输入信号所控制，以使该NMOS晶体管的源极连接于该EEPROM单元节点的电压维持在约2V左右。