[发明专利]电可擦除可编程存储器的感测电路

说明书

本发明涉及一种电可擦除可编程存储器的感测电路，用以感测电可擦除可编程存储器中储存的信息，特别是指一种电流感测式电可擦除可编程存储器感测电路。

电可擦除可编程存储器(以下称EEPROM)内部在作信息存储时，只有二种电位状态，即导通与不导通，此信息状态，可由外部感测电路予以感测。

公知的EEPROM单元基本结构如图1所示，其EEPROM单元1主要由一MOS开关11以及一EEMOS储存元件12所构成。在此电路中，当导通状态时，VD输出为低电位，在不导通状态时其VD输出为悬空(floating)。而EEPROM的信息视低电位为“0”，而视悬空(floating)为“1”，其中EEPROM的EEMOS储存元件12的导通与否决定于EEMOS开关的Vt电压，当Vt大于其栅极电压VG时呈导通状态，而当Vt小于该栅极电压VG时则呈不导通(截止)。外部的感测电路只要感测VD之电位状态，即可得知该存储器单元的信息状态。

在读取信息“1”及“0”时，EEPROM单元各点电位状态如下：

读取模式    VG    VS    VD    VCG 1的信息    0V    0V    2V    5V 0的信息    0V    0V    0V    5V

如前所述，存储器内的信息状态可由一感测电路予以感测出，亦即感测电路之目的是为了分辨EEPROM存储器的“0”电位及高于“0”电位的电压，使其能正确将存储器内的信息读出，并输出至一反相放大电路将其信号放大。

常用的EEPROM电路的感测电路如图2所示，其主要包括有一PMOS晶体管21、一NMOS晶体管22、及反相器23、24，其中PMOS晶体管21是作为将电位拉升到高电位的电路元件，NMOS晶体管22的栅极受一偏压信号CO所控制，而其源极连接至EEPROM单元(如图1所示)所送来的信息，反相器为分辨“0”与“1”信息的元件。PMOS晶体管21与NMOS晶体管22间节点的电位，是利用电压进行充电与放电，以达成分辨“0”与“1”的信息。由于这一常用的EEOROM感测电路是使用电压的充电与放电的方式，故其速度较慢。

因此，鉴于常用技术的缺点，本发明之主要目的是提供一种改进的EEPROM的感测电路，使其执行读取的速度得以改善。

本发明之另一目的是提供一种电流感测式的EEPROM感测电路，以改善传统电压感测式的技术。由于以往感测电路使用电压来感测，在感测“0”时，放电的速度较慢，故本发明为了提高速度之要求，使用了电流感测式的EEPROM感测电路技术。