[发明专利]对半导体器件的改进

权利要求书

1.一种由具有一个半绝缘层的键合晶片组成的半导体器件，可减小高频时的损耗和串扰，它包括：一个处理衬底，处理晶片上的一个半绝缘层，一个绝缘层和绝缘层上的单晶硅制备的器件层，其中半绝缘层具有预定厚度。

2.权利要求1中的器件，其中处理晶片是掺杂的，电阻率范围为1-10,000欧姆·厘米，其中处理晶片的电阻率最好低于1欧姆·厘米。

3.权利要求1或2中的器件，其中半绝缘层包括从金刚石、碳化硅和砷化镓等中挑选的一种材料，同时半绝缘层包括多晶硅、无定形硅、SIPOS、FIPOS中的一种，且绝缘层是二氧化硅。

4.权利要求1至3中任一项的器件，其中半绝缘层足够厚，以减小衬底损耗，且半绝缘层足够薄，以减小电路元件之间的串扰，在晶片和半绝缘层之间有一个阻挡层。

5.权利要求4的器件，其中阻挡层包括一个未掺杂的硅外延层，其中半绝缘层比绝缘层厚，半绝缘层的厚度最好小于最小器件宽度的六倍，或半绝缘层的厚度大于绝缘层的厚度但小于最小器件宽度的六倍。

6.权利要求4或5的器件，其中阻挡层包括一个金属层或硅化物层，以增加处理晶片的电导率，且其中的半绝缘层足够厚，以减小阻性损耗，但又没有厚到因为减小了屏蔽而导致串扰。

7.一种由具有一个半绝缘层的键合晶片结构组成的半导体器件，可减小高频时的损耗和串扰，它包括：一个单晶硅处理衬底，处理晶片上的一个多晶硅半绝缘层，半绝缘层上的一个二氧化硅绝缘层，一个单晶硅的器件层，以及衬底表面上的一个硅外延层。

8.一种由一个衬底组成的半导体器件，用于传输高频信号，它包括：一个包含有组成集成电路的集成器件的单晶硅器件层，所述器件相互间距一个第一距离；一个支撑器件层的上部衬底，具有第一电阻率，和一个受控的上部衬底厚度，以控制高频信号的电阻损耗；一个支撑上部衬底的下部衬底，具有第二电阻率，以减小所述器件层中的器件之间的串扰，串扰是与器件层和下部衬底的距离成反比的；第一电阻率比第二电阻率大，且上部衬底的厚度最好与最小的有源电路器件的宽度一样或小些。