[发明专利]引线框架及其制造方法

说明书

本发明是有关于一种引线框架及其制造方法，且特别是有关于一种镀有银及钯的引线框架及其制造方法。

在半导体生产业中，集成电路的封装(IC package)是制造的重要步骤之一。其中，IC引线框架(IC lead frame)是提供集成电路芯片安放导线的基座，并将IC芯片与印刷电路板连接起来。已知引线框架制造至少需要考虑三种特性，即接合性(bondability)，封装性(molding compound characteristic)以及焊接性(solderability)，因此引线框架的表层常有一些镀层用来调整此三种特性。

已知的引线框架为了让连接IC芯片的金导线(gold wire)与引线(lead)间有较佳的电接合性，会在焊接区(bonding area)电镀一层银(Ag)。在焊上金导线及塑胶外壳封装后，外引线(extemal lead)再镀上一层锡铅(Sn/Pb)，以增加其焊接性。由于已知的封装程序中锡铅的电镀是在塑料外壳封装后进行，而镀锡铅的步骤中具有高温，可能会损害IC芯片。此外，锡铅电镀会造成重金属污染，并由于银的电镀在封装前实施，而锡铅电镀则在封装后实施，造成封装自动化的困难。因此开发出了预镀引线框架(Pre-Plated Frame,PPF)技术。

所谓PPF技术，是选择贵金属钯(palladium,Pd)以取代常用的银与锡铅(参见美国专利US874916,USl74060)。由于钯具有较好的接合性及焊接性，已知PPF技术是在封装前将引线框架全面性镀钯，以便今后继续进行自动化封装，而无需镀锡铅。已知PPF技术不但解决了环保问题，还实现了自动化制作。为了让引线框架具有较佳的耐蚀性，已知会在镀钯之前选镀上一层镍及一层钯镍合金。由于钯属于贵金属，价钱昂贵，为了节省成本，镀钯层都很薄，约0.075～0.1μm。因此在封装过程中，容易形成针孔(pin hole)缺陷使得镍层或钯镍层极易局部裸露，造成接合性及焊接性不良，影响产品品质。

因此本发明的目的在于提供一种新型的引线框架及其制造方法，在镀钯层前，全面性镀一层银，避免镍层裸露，且钯可选择性或全面性电镀在引线框架的银层上。

本发明的目的是这样实现的，即采用一种引线框架的制造方法，应用于引线框架的电镀过程中，该制造方法包括下列步骤：提供一引线框架，并封该引线框架作一电镀前处理，该引线框架包括一封装区，该封装区中有一焊接区；刮镀一银层在该导线表面；以及电镀一钯层在该银层表面。

根据本发明的又一方面，提供一种为一集成电路提供电连接的引线框架，其中该引线框架包括一芯片座及多个引线，其中该芯片座用来承载该集成电路，这些引线用来与该集成电路连接；且该引线框架包括一封装区，而该封装区具有一焊接区，该引线框架包括：一底材；一第一银层在该底材表面；以及一钯层在该第一银层表面。

根据本发明的再一方面，提供一种为一集成电路提供电连接的引线框架，其特征在于，该引线框架包括一芯片座及多个引线，其中该芯片座用来承载该集成电路，这些引线用来与该集成电路连接；且该引线框架包括一封装区，而该封装区具有一焊接区，该引线框架包括：一底材；一在该底材表面的第一银层；以及一在该第一银层表面的钯层。

本发明的优点在于可降低制造成本，并取代常用锡铅，解决环保问题。同时兼顾了引线框架的接合性，封装性及焊接性。

下面借助附图所示实施例对本发明作进一步的详细说明，附图中：

图1为一种引线框架的平面结构图；

图2A为本发明第一实施例的引线框架的剖示图；

图3A为该第一实施例的第一变型的剖示图；

图4A为该第一实施例的第二变型的剖示图；

图5A为该第一实施例的第三变型的剖示图；

图2B至图5B为相对于图2A至图5A的另一种引线框架的变化结构；

图6A为本发明第二实施例的引线框架的剖示图；

图6B至6C为相对于图6A的另一种引线框架的变化结构。