[发明专利]布线之间有空腔的半导体器件的制造方法

权利要求书

1、带有位于布线之间的空腔的半导体器件的制造方法，包括以下工艺步骤：

在第1层间绝缘膜上形成布线层；

在所述布线层上形成氧化膜；

对所述氧化膜刻图，形成对应于布线之间间隔的间隔；

用所述氧化膜作掩模，腐蚀所述布线层和所述第1层间绝缘膜的表面层，由此形成用所述间隔使其相互隔开的用布线层形成的两条布线；和

在所述布线上和其中留有空腔的间隔中形成第2层间绝缘膜。

2、根据权利要求1的带有位于布线之间的空腔的半导体器件的制造方法，其中，所述空腔从低于对应于所述布线下表面位置朝高于对应于所述布线上表面高度的位置延伸。

3、根据权利要求1的带有位于布线之间的空腔的半导体器件的制造方法，其中，所述氧化膜含氮。

4、根据权利要求1的带有位于布线之间的空腔的半导体器件的制造方法，其中，所述氧化膜含氟。

5、根据权利要求1的带有位于布线之间的空腔的半导体器件的制造方法，其中，所述布线层包括由TiN膜，所述TiN膜上形成的第1Ti膜，所述第1Ti膜上形成的AlCu膜，和所述AlCu膜上形成的第2Ti膜构成的复合膜。

6、根据权利要求1的带有位于布线之间的空腔的半导体器件的制造方法，其中，形成所述第2层间绝缘膜的步骤包括，用偏置ECR膜淀积法形成所述第2层间绝缘膜的步骤。

7、根据权利要求1的带有位于布线之间的空腔的半导体器件的制造方法，其中，用偏置ECR膜淀积法形成所述第2层间绝缘膜的步骤包括用膜淀积法，送入SiH₄气，O₂气和Ar气形成所述第2层间绝缘膜的步骤。

8、根据权利要求1的带有位于布线之间的空腔的半导体器件的制造方法，其中，腐蚀所述布线层和所述第1层间绝缘膜表面层的步骤包括用Cl₂气，BCl₃气和CHF₃气腐蚀所述布线层的步骤。

9、根据权利要求1的带有位于布线之间的空腔的半导体器件的制造方法其中，腐蚀所述布线层和所述第1层间绝缘膜表面层的步骤包括用CF₄气，CHF₃气、Ar气和He气腐蚀所述第1层间绝缘膜表面层的步骤。

10、根据权利要求1的带有位于布线之间的空腔的半导体器件的制造方法，其中，形成所述布线层的步骤包括用溅射法淀积所述布线层的步骤。

11、根据权利要求1的带有位于布线之间的空腔的半导体器件的制造方法，还包括以下步骤：在形成所述氧化膜和对所述氧化膜刻图的步骤之间，在所述氧化膜上形成光刻胶；和对光刻胶刻图，形成对应于所述布线间间隔的间隔。

12、根据权利要求1的带有位于布线之间的空腔的半导体器件的制造方法，其中，所述TiN膜厚度为500埃，所述第1Ti膜厚度为250埃，所述AlCu膜厚度为4500埃，所述第2Ti膜厚度为250埃。

13、根据权利要求1的带有位于布线之间的空腔的半导体器件的制造方法，其中，所述SiH₄气、O₂气和Ar气的输入速度分别是40sccm，60sccm和70sccm。