[发明专利]静态随机存取存储器单元及其制造方法

权利要求书

1.一种静态随机存取存储器(SRAM)单元，包括：

一个形成在第一导电型半导体衬底中的第二导电型阱；

限定在第二导电型阱中的第一和第二激活区；

与第一和第二激活区成直角形成的第一和第二存取晶体管；和

在第一和第二存取晶体管的漏极区中具有跨越第二导电阱的沟道型栅极的第一和第二激励晶体管。

2.根据权利要求1所述的SRAM单元，其中在一个方向平行地形成所述第一和第二激活区。

3.根据权利要求2所述的SRAM单元，进一步包括：

与第一和第二激活区成直角平行地形成的第一和第二负载电阻。

4.根据权利要求1所述的SRAM单元，其中对角地形成第一和第二激励晶体管的栅极，与第一和第二激活区垂直。

5.根据权利要求1所述的SRAM单元，其中依次形成第一和第二存取晶体管。

6.根据权利要求1所述的SRAM单元，其中第一和第二激励晶体管的漏极区分别连接第一和第二存取晶体管的漏极区。

7.根据权利要求1所述的SRAM单元，其中第一和第二激励晶体管的源极区共同拥有第一导电型衬底。

8.一种SRAM单元，包括：

在第一导电型半导体利底中的一深度内形成的第二导电型阱；

在第二导电型阱中的一个方向上平行地限定的第一第二激活区；

分别与第一和第二激活区成直角的第一和第二存取晶体管的栅极；

用第一和第二存取晶体管的栅极以及第一和第二激励晶体管的栅极作为掩膜通过注入第一导电型杂质离子在第一和第二激活区中形成的第一和第二杂质区；

通过在第一杂质区的一侧露出预定区域的第一接触孔与第二激励晶体管的栅极电接触的第一导电层；

通过在第二杂质区的一侧露出预定区域的第二接触孔与第一激励晶体管的栅极电接触的第二导电层；

通过第一接触孔与第一导电层电接触的第一负载电阻层；和

通过第二接触孔与第一导电层接触的第二负载电阻层。

9.根据权利要求8所述的SRAM单元，其中依次形成第一和第二存取晶体管的栅极。

10.根据权利要求8所述的SRAM单元，其中第一和第二导电类型分别为n型和p型。

11.根据权利要求8所述的SRAM单元，其中在同一层中形成第一和第二导电层，并在同一层中形成第一和第二负载电阻层。

12.根据权利要求8所述的SRAM单元，其中第一和第二激励晶体管的源极区共同拥有第一导电型半导体衬底。

13.根据权利要求8所述的SRAM单元，其中跨越第二导电阱构成第一和第二激励晶体管的栅极，以便第一和第二激励晶体管实际上具有垂直结构。

14.根据权利要求8所述的SRAM单元，其中对角地形成第一和第二激励晶体管的栅极，与第一和第二激活区垂直。

15.根据权利要求8所述的SRAM单元，其中与第一和第二导电层平行形成第一和第二存取晶体管的栅极。