[发明专利]中温烧结多层陶瓷电容器用低介微波介质材料

权利要求书

1、一种中温烧结多层陶瓷电容器用低介微波介质材料，其特征在于其配方组成(重量百分比)为：

正钛酸镁晶相(Mg₂TiO₄)       85～92％

硅酸镁晶相(Mg₂SiO₄)         3～10％

铝硅酸铅玻璃                  3～8％

钛酸钙(CaTiO₃)               1～4％

碳酸锰或氧化钴及其杂质         0.1～0.7％

2、根据权利要求1所述的中温烧结多层陶瓷电容器用低介微波介质材料，其特征在于其配方组成(重量百分比)为：

正钛酸镁晶相(Mg₂TiO₄)       91～93％

硅酸镁晶相(Mg₂SiO₄)         6～9％

铝硅酸铅玻璃                  3～7％

钛酸钙(CaTiO₃)               1～4％

MnCO₃                       0.1～0.3％

Co₂O₃                      0.1～0.2％

3、根据权利要求1所述的中温烧结多层陶瓷电容器用低介微波介质材料，其特征在于其配方组成(重量百分比)为：

正钛酸镁晶相(Mg₂TiO₄)       89～91％

硅酸镁晶相(Mg₂SiO₄)         9～11％

铝硅酸铅玻璃                  3～7％

钛酸钙(CaTiO₃)               1～4％

MnCO₃                        0.1～0.3％

Co₂O₃                       0.1～0.2％

4、根据权利要求1所述的中温烧结多层陶瓷电容器用低介微波介质材料，其特征在于其配方组成(重量百分比)为：

正钛酸镁晶相(Mg₂TiO₄)      86～89％

硅酸镁晶相(Mg₂SiO₄)        11～13％

铝硅酸铅玻璃                 3～7％

钛酸钙(CaTiO₃)              1～4％

MnCO₃                       0.1～0.3％

Co₂O₃                      0.1～0.2％

5、根据权利要求1所述的中温烧结多层陶瓷电容器用低介微波介质材料，其特征在于其配方组成(重量百分比)为：

正钛酸镁晶相(Mg₂TiO₄)      83～86％

硅酸镁晶相(Mg₂SiO₄)        13～16％

铝硅酸铅玻璃                 7～9％

钛酸钙(CaTiO₃)              1～4％

MnCO₃                       0.1～0.3％

Co₂O₃                      0.1～0.2％

6、根据权利要求1所述的中温烧结多层陶瓷电容器用低介微波介质材料，其特征在于其烧成温度为1100±30℃，焙烧时间为2～4小时。