[发明专利]连续真空层压处理系统无效
申请号: | 97117638.8 | 申请日: | 1997-08-13 |
公开(公告)号: | CN1096716C | 公开(公告)日: | 2002-12-18 |
发明(设计)人: | 吉野豪人;深江公俊;井上裕二;丝山诚纪 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/50;B32B31/14 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 郑中军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 连续 真空 层压 处理 系统 | ||
1.一种连续真空层压处理系统,它能连续地进行:(1)堆积步骤,按给定顺序堆积背侧盖件、第一填充件、待密封的部件、第二填充件与表面侧盖件而形成堆积体;(2)抽真空步骤,使由上述表面侧盖件与背侧盖件夹层的该堆积体的区域减压;与(3)加热步骤;使该堆积体按给定秩序于所需温度下进行热处理,
特征在于:堆积步骤(1)是在具有能在内部抽真空并可沿垂向装载的结构的一批真空层压装置中进行;在堆积步骤之后,即用装载设备沿垂向装载这批真空层压装置形成堆垛形式;
将上述堆垛依给定顺序进行真空步骤(2)与加热步骤(3)的处理;
用卸载设备将各真空层压装置分别从所述堆垛上卸下;以及
从各个真空层压装置上取出经过真空层压处理的堆积体。
2.如权利要求1所述的连续真空层压处理系统,特征在于,其中相互毗邻地设置有一批工区,包括:(a)用于堆积步骤(1)中的叠层工区;(b)具有装载设备的装载工区;(c)具有用于抽真空步骤(2)的真空泵的抽真空工区;(d)具有用于加热步骤(3)的加热炉的加热工区;以及(e)具有一批相互邻近设置的卸载设备的卸载工区;各个层压装置能有选择地进到各个工区(a)至(e)以及装载与卸装设备之中;而且对于真空层压装置上的堆积体的真空层压处理能够连续地进行,并在此同时使层压装置依给定秩序相续地通过工区(a)至(e)。
3.如权利要求2所述的连续真空层压处理系统,特征在于:所述叠层工区(a)、装载工区(b)、抽真空工区(c)、加热工区(d)与卸载工区(e)是取相互毗邻地类圆圈的布置形式。
4.如权利要求3所述的连续真空层压处理系统,特征在于:(A)将一批已为堆积步骤处理过的真空层压装置(i)装载到设有升降机的装载设备的钩上,而由此钩形成包括了所述装载上的真空层压装置形成的堆垛(i′),此装载设备的升降机提升以升高堆垛(i′),而这样升高的堆垛(i′)便为装载设备的钩钩合住,使得堆垛(i′)保持于它所升高的位置处;
(B)然后,装载设备的升降机下降,而一批经过堆积步骤处理的真空层压装置(ii)则定位于装载设备的升降机上,于重复上述(A)中的相同步骤后形成了堆垛(ii′),
(C)每个堆垛分别依给定秩序受到抽真空步骤与加热步骤的处理;
(D)采用设有升降机与钩的卸载设备,各个堆垛在完成了加热步骤后便定位于此卸载设备的升降机上,随后升高此卸载设备的升降机来提升所述堆垛;以及
(E)位于此堆垛第二阶段中的升高了真空层压装置便为卸载设备的钩钩合,使得位于此第二阶段上方的各真空层压装置保持于它们已升高的位置,然后使装载与卸载设备的升降机下降,取出底部的真空层压装置,再重复以上步骤来卸下各个真空层压装置。
5.一种连续真空层压处理系统,它能连续地进行至少是:(1)堆积步骤,按给定顺序堆积背侧盖件、第一填充件、待密封的部件、第二填充件与表面侧盖件而形成堆积体;(2)抽真空步骤,使用上述表面侧盖件与背侧盖件夹层的该堆积体的区域减压;与(3)加热步骤:使该堆积体按给定秩序于所需温度下进行热处理。
特征在于:堆积步骤(1)是对一批具有能沿垂向在几个阶段上由装载与卸载设备进行装载与卸载的结构的层压装置进行;有一批工区,其中包括至少是(a)用于堆积步骤(1)的叠层工区、(b)具有装载设备的装载工区、(c)具有用于抽真空步骤(2)的真空泵的抽真空工区、(d)具有用于加热步骤(3)的加热炉的工区、以及(e)具有一批相互相邻排成类圆圈形式的卸载设备的卸载工区;各个层压装置能有选择的进到各个工区(a)至(e)中以及装载设备与卸载设备之中;而且在对真空层压装置上的堆积体连续地进行真空层压处理的同时,使这些层压装置依给定顺序相继地通过工区(a)至(e)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的