[发明专利]连续真空层压处理系统无效
申请号: | 97117638.8 | 申请日: | 1997-08-13 |
公开(公告)号: | CN1096716C | 公开(公告)日: | 2002-12-18 |
发明(设计)人: | 吉野豪人;深江公俊;井上裕二;丝山诚纪 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/50;B32B31/14 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 郑中军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 连续 真空 层压 处理 系统 | ||
发明领域
本发明涉及连续真空层压处理系统。具体地说,本发明涉及能以高产率大规模生产太阳电池组件的连续真空层压处理系统和适用于生产太阳电池组件的真空层压设备。
背景技术
已知有种种真空层压设备,用在使用过程中会暴露于外部空气下的半导体器件例如太阳电池等的生产过程中的最后阶段,以便密封这种半导体器件,使其能充分地经受环境温度与湿度的变化,并能抵抗加于其上的冲击力或破坏力。人们希望通过这种真空层压设备生产出的太阳电池组件能作为提供清洁能量不造成污染的动力源。
近年来,地球环境污染已成为世界性问题,与此同时,公众对地球环保的关心也已日渐普及到整个世界。特别是由于大气中CO2的增加带来的所谓温室效应,对地球变暖的担心已成了严重的问题。为此,社会各界越益要求早日实现一种动力源系统,它能提供清洁的能量而不会像火力发电情形造成CO2增长。
在上述背景下,大众的注意力集中到采用太阳电池的动力供应系统上,因为太阳电池安全、便于处理和能够用作提供清洁能源而不造成CO2的增加。同时已开展了种种研究,以便按合理的生产费用制造出高度可靠的太阳电池。在这种太阳电池的生产中,前述真空层压设备起着重要作用。
顺便指出,业已提出了不同类型与不同结构的各种太阳电池。这类太阳电池代表性的具体例子有单晶硅太阳电池、多晶硅太阳电池、无定性硅太阳电池、铜铟硒化物太阳电池与化合物半导体太阳电池。在这些太阳电池中,对所谓薄膜晶体硅太阳电池、化合物半导体太阳电池与无定形硅太阳电池进行了种种探讨与开发性研究,这时因为它们较易以相对低的生产费用生产成具有大面积的形式。
为了具体地把这些太阳电池用作例如户外的动力源,把它们设计成具有能用作动力源的所需构型的太阳电池组件。
图13(a)与13(b)示意表明了这种太阳电池组件的构型例子。具体地说,图13(a)是示意性横剖面图,表明层压件的构成例子,此层压件包括太阳电池组件给定的组成件,后者经受热压处理来生产太阳电池组件。图13(b)是示意性剖面图,表明的是图13(a)所示层压件经受热压处理而制得的作为太阳能组件的堆积体。在图13(a)与13(b)中,标号1001指表面侧盖件,标号1002指填充件,标号1003指太阳电池(或光生伏打元件),标号1004指背侧盖件。
上述太阳电池组件例如可按以下所述制造。首先层压太阳电池的前述组成件以获得图13(a)所示的层压件。将这样制得的层压件引入真空层压设备中,在此将层压件定位好同时进行密封,继对此层压件内抽真空以将层压件内的空气外抽。然后,在继续抽真空的同时对层压件作热处理,将层压件加热到使填充件交联化或固化的预定温度。这样的热处理在上述温度下继续到直至填充件充分固化的一段固定时间,随后使这样处理过的层压件冷却。这以后,终止真空作业,使层压件周围的大气返回到大气压力,继而取出此层压件。由此就制成了具有图13(b)所示构型的太阳电池组件。
图14(a)至14(c)概示了用于生产太阳电池组件的常规的真空层压设备。具体地说,图14(a)概示了此真空层压设备的整体,图14(b)是沿图14(a)中F-F线截取的示意性横剖图,而图14(c)的示意性横剖图则示明了为生产太阳能电池组件而提出的一种结构的实施形式。
在图14(a)至14(c)中,标号1101指安装台,它的安装区A上设有太阳电池组件用的堆积体(或层压件)1108。标号1102指一抽真空管,它设有一批通风孔1105并布置成围绕着此安装台1101的安装区A。标号1103指设在排风管1110上的阀,此排风管的一端与抽真空管1102通连,另一端则与真空泵1104连接。标号1106指固定装置,用来将抽真空管1105固定到安装台1101上。标号1107指一挠性盖件,标号1109指一网件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的