[发明专利]半导体存储器无效
申请号: | 97118411.9 | 申请日: | 1997-09-04 |
公开(公告)号: | CN1191370A | 公开(公告)日: | 1998-08-26 |
发明(设计)人: | 中尾浩之 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | G11C11/34 | 分类号: | G11C11/34 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨凯,叶恺东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储器 | ||
1.一种具有按行为单位进行数据的写入的成批写入模式的半导体存储器,其特征在于具有:包括排列成矩阵状的多个存储器单元、与各行对应地设置的字线和与各列对应地设置的位线对的存储器阵列;
用于在上述存储器阵列和外部之间进行数据的输入输出的数据输入输出线对;
与各位线对对应地设置的、连接在对应的位线对和上述数据输入输出线对的一端之间的列选择门;
按照行地址信号选择上述存储器阵列中的某一字线的行选择装置;
按照列地址信号选择上述存储器阵列中的某一位线对、并使与该位线对对应的列选择门导通的列选择装置;以及
与上述数据输入输出线对的另一端连接的、将从外部供给的数据通过由上述列选择装置选择的位线对写入与由上述行选择装置选择的字线对应的存储器单元的写入装置。
上述列选择装置根据上述成批写入模式指令的要求选择上述存储器阵列中的所有的位线对、并使与所选择的各位线对对应的列选择门导通。
2.一种具有按行为单位进行数据写入的成批写入模式的半导体存储器,其特征在于具有:包括排列成矩阵状的多个存储器单元、与各行对应地设置的字线和与各列对应地设置的位线对的、并且将各相邻的2组位线对预先分组的存储器阵列;
用于分别在上述存储器阵列和外部之间进行数据的输入输出的2组数据输入输出线对;
与各相邻的2组位线对的组对应地设置的、分别连接在对应组的2组位线对和上述2组数据输入输出线对的一端之间的第1和第2列选择门;
按照行地址信号选择上述存储器阵列中的某一字线的行选择装置;
按照列地址信号选择上述存储器阵列中的某一组并且使与该组对应的第1和第2列选择门导通的列选择装置;以及
与上述2组数据输入输出线对的另一端连接的、通过由上述列选择装置选择的组的2组位线对分别将从外部供给的2位的数据写入与由上述行选择装置选择的字线对应的2个存储器单元的写入装置。
上述列选择装置根据上述成批写入模式指令的要求选择上述存储器阵列中的所有的组、并使与所选择的各组对应的第1和第2列选择门导通。
3.权利要求2所述的半导体存储器,其特征在于:上述写入装置根据反转写入模式指令的要求使从外部供给的2位的数据中的一个数据反转后进行写入。
4.权利要求2所述的半导体存储器,其特征在于:还具有与各组的2组位线对中的1个位线对对应地设置的、连接在对应的位线对和对应的数据输入输出线对的一端之间的第3列选择门。
各组的2组位线对和上述2组数据输入输出线对分别通过上述第1和第2列选择门以正相连接;
各组的2组位线对中的1组位线对和对应的数据输入输出线对通过上述第3列选择门以反相连接;
上述列选择装置根据反转写入模式指令的要求,取代上述第2列选择门而使上述第3列选择门导通。
5.一种具有按行为单位进行数据的写入的成批写入模式的半导体存储器,其特征在于具有:包括排列成矩阵状的多个存储器单元、与各行对应地设置的字线和与各列对应地设置的位线对的、并且沿上述位线对延伸的方向排列的多个存储器阵列;
与各位线对相对应在上述多个存储器阵列上共同设置的列选择线;
与各存储器阵列对应地设置的、用于在对应的存储器阵列和外部之间进行数据的输入输出的数据输入输出线对;
与各位线对对应地设置的、连接在对应的位线对和对应的数据输入输出线的一端之间的列选择门;
用于设定按N位单位进行数据的写入的第1模式或按M位单位(但是,M>N)进行数据的写入的第2模式的模式设定装置;
按照行地址信号根据由上述模式设定装置设定上述第1或第2模式的情况选择上述多个存储器阵列中的N个或M个存储器阵列,并且选择所选择的各存储器阵列中的某一字线的行选择装置;
按照列地址信号选择多个上述列选择线中的某一列选择线,并且使与该列选择线对应的列选择门导通的列选择装置;
和与各数据输入输出线对的另一端连接的、通过与由上述列选择装置选择的列选择线对应的位线对将从外部供给的数据写入与由上述行选择装置选择的字线对应的存储器单元的写入装置,
上述列选择装置根据上述成批写入模式指令的要求选择所有的列选择线,并且使与所选择的各列选择线对应的列选择门导通。
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