[发明专利]用硫酸、双氧水将铜箔蚀薄的方法无效
申请号: | 97118470.4 | 申请日: | 1997-09-10 |
公开(公告)号: | CN1211159A | 公开(公告)日: | 1999-03-17 |
发明(设计)人: | 蔡维人 | 申请(专利权)人: | 华通电脑股份有限公司 |
主分类号: | H05K3/00 | 分类号: | H05K3/00;C23F1/18 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 林蕴和 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硫酸 双氧水 铜箔 方法 | ||
1.一种制造薄铜箔厚度在0.00254-0.00889毫米基层板的方法,其特征在于:在铜箔基层板上以3-30(体积)%硫酸、2-20(体积)%双氧水混合液喷覆蚀铜。
2.一种制造基层电路板的方法,包括:
(1)以硫酸双氧水蚀薄铜箔,[以下(1a)至(1i)适用于多层板]
(1a)清洁内层板板面、
(1b)压膜、
(1c)曝光、
(1d)显影、
(1e)蚀刻、
(1f)去膜、
(1g)棕化处理;
(1i)压板
(2)钻孔(多层板及双面板,以下步骤皆适用于多层板及双面板);
(3)孔镀铜;
(4)清洁板面;
(5)压膜;
(6)曝光;
(7)显影;
(8)线路镀铜;
(9)镀锡铅;
(10)去膜;
(11)蚀铜;
(12)剥锡铅;
(13)涂防焊绿漆;及/或喷锡;
(14)金手指;
(15)成型;
(16)成品;
其特征在于:步骤(1)是以3-30(体积)%硫酸、2-20(体积)%双氧水混合液喷覆蚀铜,使铜箔厚度蚀刻至0.00254-0.00889毫米。
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