[发明专利]用硫酸、双氧水将铜箔蚀薄的方法无效

专利信息
申请号: 97118470.4 申请日: 1997-09-10
公开(公告)号: CN1211159A 公开(公告)日: 1999-03-17
发明(设计)人: 蔡维人 申请(专利权)人: 华通电脑股份有限公司
主分类号: H05K3/00 分类号: H05K3/00;C23F1/18
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 林蕴和
地址: 中国*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 硫酸 双氧水 铜箔 方法
【权利要求书】:

1.一种制造薄铜箔厚度在0.00254-0.00889毫米基层板的方法,其特征在于:在铜箔基层板上以3-30(体积)%硫酸、2-20(体积)%双氧水混合液喷覆蚀铜。

2.一种制造基层电路板的方法,包括:

(1)以硫酸双氧水蚀薄铜箔,[以下(1a)至(1i)适用于多层板]

(1a)清洁内层板板面、

(1b)压膜、

(1c)曝光、

(1d)显影、

(1e)蚀刻、

(1f)去膜、

(1g)棕化处理;

(1i)压板

(2)钻孔(多层板及双面板,以下步骤皆适用于多层板及双面板);

(3)孔镀铜;

(4)清洁板面;

(5)压膜;

(6)曝光;

(7)显影;

(8)线路镀铜;

(9)镀锡铅;

(10)去膜;

(11)蚀铜;

(12)剥锡铅;

(13)涂防焊绿漆;及/或喷锡;

(14)金手指;

(15)成型;

(16)成品;

其特征在于:步骤(1)是以3-30(体积)%硫酸、2-20(体积)%双氧水混合液喷覆蚀铜,使铜箔厚度蚀刻至0.00254-0.00889毫米。

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