[发明专利]集成电路装置及其制造方法

权利要求书

1、一种集成电路装置，包括：

(a)衬底；

(b)位于衬底上的金属电路线，和

(c)位于电路线附近的电介质组合物，该组合物包括有机聚硅氧烷和选自未缩合的聚苯并噁唑、聚苯并噻唑和聚苯并嘧唑聚合物的前身聚合物的反应产物。

2、权利要求1所述的装置，其特征在于有机聚硅氧烷是C_1-6烷氧基硅烷，倍半硅氧烷或它们的混合物。

3、权利要求2所述的装置，其特征在于倍半硅氧烷是苯基/C_1-6烷基倍半硅氧烷。

4、权利要求1所述的装置，其特征在于前身聚合物被(RO)_m(R″)_nSiR′-封端，其中R和R′分别是烃基；R″是氢或烃基；m是1，2或3；和m+n＝3。

5、权利要求4所述的装置，其特征在于前身聚合物被三C_1-10烷氧基甲硅烷基C_1-10烷基或三C_1-10烷氧基甲硅烷基芳基封端。

6、一种制造集成电路的方法，包括：

(a)在衬底上设置一层电介质组合物，该组合物包括有机聚硅氧烷和选自来缩合的聚苯并噁唑、聚苯并噻唑和聚苯并嘧唑聚合物的前身聚合物的反应物；

(b)加热该组合物使反应物反应；

(c)电介质层以光刻方式进行图形刻蚀；

(d)在经图形刻蚀的电介质层上淀积金属膜；和

(e)对膜进行平面化处理形成集成电路。

7、权利要求6所述的方法，其特征在于有机聚硅氧烷是C_1-6烷氧基硅烷、倍半硅氧烷或它们的混合物。

8、权利要求6所述的方法，其特征在于前身聚合物被(RO)_m(R″)_nSiR′-封端，其中R和R′分别是烃基；R″是氢或烃基；m是1，2或3；和m+n＝3。

9、权利要求8所述的方法，其特征在于前身聚合物被三C_1-10烷氧基甲硅烷基C_1-10烷基或三C_1-10烷氧基甲硅烷基芳基封端。

10、一种制造集成电路的方法，包括：

(a)在衬底上淀积金属膜；

(b)对金属膜以光刻方式进行图形刻蚀；

(c)在经图形刻蚀的金属膜上淀积一层电介质组合物，该组合物包括有机聚硅氧烷和选自未缩合的聚苯并噁唑、聚苯并噻唑和聚苯并嘧唑聚合物的前身聚合物的反应物；

(d)加热该组合物使反应物反应。

11、权利要求10所述的方法，其特征在于有机聚硅氧烷是C_1-6烷氧基硅烷，倍半硅氧烷或它们的混合物。

12、权利要求10所述的方法，其特征在于前身聚合物被(RO)_m(R″)_nSiR′-封端，其中R和R′分别是烃基；R″是氢或烃基；m是1，2或3；和m+n＝3。

13、权利要求12所述的方法，其特征在于前身聚合物被三C_1-10烷氧基甲硅烷基C_1-10烷基或三C_1-10烷氧基甲硅烷基芳基封端。

14、为集成电路芯片提供信号和工作电流的集成电路封装装置，它包括：

(i)具有与电路板连接的导电体的衬底；

(ii)位于衬底上的多个交替的电绝缘和导电的层，其中至少一导电层包括本发明的改进的电介质膜；和

(iii)使导电体、导电层和集成电路芯片相互电连接的多个通路。

15、权利要求14所述的装置，其特征在于有机聚硅氧烷是C_1-6烷氧基硅烷，倍半硅氧烷或它们的混合物。

16、权利要求15所述的装置，其特征在于倍半硅氧烷是苯基/C_1-6烷基倍半硅氧烷。