[发明专利]具有改进的绝缘图形的绝缘体上硅薄膜衬底

权利要求书

1.一种绝缘体上硅薄膜衬底，其包括第一硅衬底，与所述第一硅衬底键合的第二硅衬底，在所述第一和第二硅衬底之间接触面的多个第一类型区上形成的多个绝缘膜图形，以便在所述多个第一类型区上的所述第一和第二硅衬底通过所述多个绝缘膜图形间接地键合，而在多个第二类型区上的所述第一和第二硅衬底彼此直接地键合，

其中所述多个第一类型区中的每一个的所有边缘与所述多个第二类型区相邻接，而所述多个第二类型区中的每一个的所有边缘与所述多个第一类型区相邻接。

2.根据权利要求1的绝缘体上硅薄膜衬底，其中在所述多个第一类型区上提供的所述多个绝缘膜图形是成方格式图形的形状。

3.根据权利要求2的绝缘体上硅薄膜衬底，其中在每个要被切割开的芯片中包括至少一对所述第一和第二类型区。

4.根据权利要求3的绝缘体上硅薄膜衬底，其中在每个所述芯片中包括两对所述第一和第二类型区。

5.根据权利要求1的绝缘体上硅薄膜衬底，其中在所述多个第一类型区上提供的所述多个绝缘膜图形是具有以一芯片尺寸为基准的周期性的周期性图形，所述芯片区域以阵列方式在所述第一和第二硅衬底的叠层中排列并由此被进行切割。

6.根据权利要求5的绝缘体上硅薄膜衬底，其中在每一芯片中包括至少一个所述第一类型区和至少一个所述第二类型区，其中在所述每一区域中所述至少一个所述第二类型区被所述芯片中至少一个所述第一类型区包围着。

7.根据权利要求1的绝缘体上硅薄膜衬底，其中所述第一和第二类型区以彼此垂直但与所述接触面平行的第一和第二两个方向交替和周期地设置。

8.根据权利要求1的绝缘体上硅薄膜衬底，其中所述第一和第二类型区具有相同的尺寸和相同的几何形状。

9.根据权利要求1的绝缘体上硅薄膜衬底，其中控制电路在第一类型区中形成，而纵向功率MOS晶体管在第二类型区中形成。

10.一种绝缘体上硅薄膜衬底，其包括第一硅衬底，与所述第一硅衬底键合的第二硅衬底，在所述第一和第二硅衬底之间接触面的多个第一类型区上形成的多个绝缘膜图形，以便在所述多个第一类型区上的所述第一和第二硅衬底通过所述多个绝缘膜图形间接地键合，而在所述多个第二类型区上的所述第一和第二硅衬底彼此直接地键合：

其中所述第一和第二类型区以彼此垂直但与所述接触面平行的第一和第二两个方向交替和周期地设置，并且

其中两对所述第一和第二类型区包括在从所述衬底切割的每块芯片中。

11.根据权利要求10的绝缘体上硅薄膜衬底，其中在所述多个第二类型区上提供的所述多个绝缘膜图形是周期性图形，其周期性基于所述芯片的尺寸。

12.根据权利要求11的绝缘体上硅薄膜衬底，其中在所述芯片中所述至少一个所述第二类型区被所述至少一个所述第一类型区包围着。

13.根据权利要求10的绝缘体上硅薄膜衬底，其中所述第一和第二类型区具有相同的尺寸和相同的几何形状。

14.根据权利要求10的绝缘体上硅薄膜衬底，其中控制电路在第一类型区中形成，而纵向功率MOS晶体管在第二类型区中形成。