[发明专利]存储器

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：用于电荷载流子的路径(1)；用于存储电荷的节点(1、30、36、44)，该电荷产生使所述路径的导电性改变的电场；和电荷载流子可穿越的隧道阻挡层结构(2)，以便相应于所提供的电压，在所述节点上存储电荷载流子，所述隧道阻挡层结构呈现的能带剖面具有较低阻挡层高度中较宽的阻挡层成分(17)，和有较高阻挡层高度中至少一维较窄的阻挡层成分(18)。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，主要由3nm或3nm以下幅度形成所述比较高的阻挡层高度的能带剖面的成分(18)。

3.如权利要求1或2所述的存储器，其特征在于，所述隧道阻挡层结构的能带剖面具有多个所述比较高的阻挡层高度成分。

4.如前述任何一项权利要求所述的存储器，其特征在于，所述阻挡层结构由多隧道结结构(15、16)构成。

5.如权利要求3或4所述的存储器，其特征在于，所述结构(15、16)有相对导电性的材料和绝缘性材料的交替层，这些层在总体上组成所述能带剖面的比较低的阻挡层高度成分，各个绝缘层组成所述比较高的阻挡层成分。

6.如权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述交替层(15、16)分别由多晶硅和氮化硅构成。

7.如权利要求5或6所述的存储器，其特征在于，所述导电层的厚度分别在10nm以下，所述绝缘层的厚度在1nm数量级。

8.如权利要求5或6所述的存储器，其特征在于，所述阻挡层结构由肖特基阻挡层结构(16、28)构成。

9.如权利要求8所述的存储器，其特征在于，所述结构有导电层材料和半导体材料的交替层(16、18)。

10.如前述任何一项权利要求所述的存储器，其特征在于，所述电荷节点在所述阻挡层结构与所述路径之间有导电材料层(1)。

11.如权利要求10所述的存储器，其特征在于，所述层(1)由掺杂的半导体材料构成。

12.如前述任何一项权利要求所述的存储器，其特征在于，所述电荷存储节点由多个导电性岛(30、36、44、68)构成。

13.如权利要求12所述的存储器，其特征在于，所述岛(30、36、44)分散在所述阻挡层结构内。

14.如权利要求13所述的存储器，其特征在于，所述岛有5nm或5nm以下的直径。

15.如权利要求13或14所述的存储器，其特征在于，在所述比较高的阻挡层成分之间，所述岛组成所述能带剖面的比较窄的较低的阻挡层成分。

16.如权利要求12、13、14或15所述的存储器，其特征在于，所述岛配置在由电绝缘材料(29、30)分离开的多个层(30、46、47)内。

17.如权利要求16所述的存储器，其特征在于，所述层的间隔在3nm以下。

18.如权利要求17所述的存储器，其特征在于，所述岛的直径为3nm的数量级，所述层的间隔为2nm的数量级。

19.如权利要求12至18中任一项所述的存储器，其特征在于，所述岛由纳米结晶的半导体材料构成。

20.如权利要求12至18中任一项所述的存储器，其特征在于，所述岛由金属构成。

21.如权利要求20所述的存储器，其特征在于，所述金属的岛由溅射形成，分散在绝缘性金属氧化物内。

22.如权利要求12至20中任一项所述的存储器，其特征在于，所述岛由从悬浊液中析出的粒子构成。

23.前述任何一项权利要求所述的存储器，其特征在于，所述隧道阻挡层结构呈现阻止向节点穿越的电荷载流子的禁止电压范围(Va)，具有为了控制所述节点内的电荷量而增减所述禁止电压范围的控制装置(9、51、59-61)。

24.如权利要求23所述的存储器，其特征在于，构成所述电荷存储节点(1)，以便存储多个离散状态的电荷。