[发明专利]晶圆的固定装置及方法无效
申请号: | 97121343.7 | 申请日: | 1997-10-21 |
公开(公告)号: | CN1068456C | 公开(公告)日: | 2001-07-11 |
发明(设计)人: | 莫自治;庄元中;杨长谋;何进渊 | 申请(专利权)人: | 研能科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;B41J2/135 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 竺路玲 |
地址: | 台湾省新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固定 装置 方法 | ||
1.一种晶圆的固定装置,用以固定一平板于一晶圆上,该晶圆具有数个镂空处,其特征在于,该装置系包含:
一基座,其系用以放置该晶圆:
在该基座上设有至少一个沟槽,且每个沟槽具有一独立开口,开设于基座一侧,当该晶圆置于该基座上时,所述镂空处系对应于所述沟槽;以及
一抽气设备,与所述沟槽的开口连接。
2.如权利要求1所述的晶圆的固定装置,其特征在于,所述沟槽为一弯曲的长形沟槽或一环形沟槽,沟槽经抽气后,其压力较周围环境低50~200mmHg。
3.如权利要求1所述的晶圆的固定装置,其特征在于,还包含一双向阀,其连接于所述抽气设备及所述基座沟槽的开口间。
4.如权利要求1所述的晶圆的固定装置,其特征在于,所述沟槽具有另一可闭开口。
5.一种晶圆的固定方法,用以固定一平板于一晶圆上,该晶圆具有数个镂空处,其特征在于,其步骤系包含:
将该晶圆置于一具有数个沟槽的基座上,使所述镂空处对应于所述沟槽;
将该平板对准放置于该晶圆上;以及
抽出所述沟槽中的气体,使该平板藉一真空吸力固定于该晶圆上。
6.根据权利要求5所述的晶圆的固定方法,其特征在于,于抽出所述沟槽中的气体后,还包含一步骤:除去真空使气体回流至所述沟槽中,以移除所述平板与所述晶圆间的真空吸力。
7.根据权利要求5所述的晶圆的固定方法,其特征在于,所述沟槽经抽气后,其压力系较周围环境低50~200mmHg。
8.根据权利要求5所述的晶圆的固定方法,其特征在于,所述基座还包含数个沟槽,每一个沟槽均具有一独立开口,该数个沟槽经抽气后,于不同的沟槽系具有不同的真空度。
9.一种粘合喷墨头喷孔片的方法,此喷墨头包含一用以喷射墨水的喷孔片,以及用以控制该墨水射出的数个晶片,所述每个晶片上具一镂空处,用以盛装墨水,其特征在于,其步骤系包含:
将所述数个晶片置于一具有数个沟槽的基座上,使所述镂空处对应于所述沟槽;
于所述晶片上涂布一粘着层;
将所述数个喷孔片对准放置于所述数个晶片上;
抽出数个沟槽中的气体,使该喷孔片藉一真空吸力固定于该晶片上;
加热该粘着层,使该粘着层粘合该喷孔片及该晶片;以及
除去真空使气体回流至该沟槽中,以移除该喷孔片与该晶片间的真空吸力。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造