[发明专利]晶圆的固定装置及方法无效
申请号: | 97121343.7 | 申请日: | 1997-10-21 |
公开(公告)号: | CN1068456C | 公开(公告)日: | 2001-07-11 |
发明(设计)人: | 莫自治;庄元中;杨长谋;何进渊 | 申请(专利权)人: | 研能科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;B41J2/135 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 竺路玲 |
地址: | 台湾省新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固定 装置 方法 | ||
本发明属于一种晶圆的固定装置及方法,尤指一种利用真空吸力固定晶圆的装置及方法。
在半导体的制造工艺中,常需要将两晶片的相对位置固定,以进行后续的制程,如欲粘合一晶圆及一平板,其步骤依序为(1)于晶圆上涂布粘着剂、(2)将平板置于晶圆上、(3)固定平板与晶圆、(4)传送经固定的晶圆与平板至加热板压合加热、(5)除去固定装置,当半导体制程已迈入深次微米时代,集成度的要求日益增加,元件与元件间的距离也逐渐缩小,此固定步骤就变得十分重要,当平板已用精密对位的方式置于晶圆上,如果因固定不慎,于传送过程中发生移位的情况,则此元件就无法使用,而降低生产线的合格率。
已知的固定方法是利用夹压装置来固定,请参阅图1,其系为己知固定晶圆方法的示意图,其中平板2己被放置于晶圆1上,使用一夹压装置3来固定此平板2与晶圆1的相对位置。此夹压装置3包含底座31、夹持部32、气压缸33及空气供应管34,利用空气供应管34控制进入气压缸33的空气量,使得上面的夹持部32往下压,以固定该平板2及晶圆1。此种装置尚可利用空气供应量来控制夹持部32施予平板2及晶圆1的压力,以针对不同强度的晶圆施以适当的夹持力;尤有甚者,以极为简易的夹具进行固定,忽略了夹持力大小的控制,此类夹具装置易因夹具旋力的不当,导致非正向力的介入,而使得平板2与晶圆1之间产生移位,或是两旁夹具施力不均,造成倾斜,同样无法妥善固定平板2与晶圆1,之前精密对位的步骤也因此功亏一篑。所以,以加压的方式来固定晶圆并无法满足固定步骤所需的要求。
本发明的主要目的在于克服已有技术的不足,提供一种晶圆的固定装置,以改善晶圆在固定时易产生移位的缺陷;同时提供其固定方法。
本发明的第三目的,即在于提供一种粘合喷墨头喷孔片的方法,妥善固定喷孔片以进行后续程序。
本发明的主要目的是这样实现的:一种晶圆的固定装置,用以固定一平板于一晶圆上,该晶圆具有数个镂空处,其特点是,该装置系包含:一基座,其系用以放置该晶圆;在该基座上设有至少一个沟槽,且每个沟槽具有一独立开口,开设于基座一侧,当该晶圆置于该基座上时,所述镂空处系对应于所述沟槽;以及一抽气设备,与所述沟槽的开口连接。
依据上述构想,晶圆的固定装置中该沟槽可为任意形状,如弯曲的长形沟槽或环形沟槽:当晶圆的固定装置中的沟槽经抽气后,其压力较佳系较周围环境低50~200mmHg。
依据上述构想,晶圆的固定装置中该装置还包含一双向阀,连接于该抽气设备及该开口间,当欲形成该真空吸力时,该双向阀系连通该开口及该抽器设备,因此气体系自该沟槽中抽出;当欲移除该真空吸力时,该双向阀系连通该开口及周围环境,因此气体系自周围环境回流至该沟槽中,以进行移除真空的程序。
依据上述构想,晶圆的固定装置中该沟槽还包含另一可闭开口,当欲形成真空吸力时,该可闭开口系处于一关闭状态,因此气体系自该沟槽中经由抽气设备抽出;当欲移除该真空吸力时,该可闭开口系处于一开启状态,因此气体系自周围环境经由可闭开口回流至该沟槽中,以进行移除真空的程序。
根据本发明的另一目的,其构想在提供一种晶圆的固定方法,用以固定一平板于一晶圆上,该晶圆具有数个镂空处,其步骤系包含:将该晶圆置于一具有数个沟槽的基座上,使所述镂空处对应于所述沟槽;将该平板对准放置于该晶圆上;以及抽出该沟槽中的气体,使该平板藉一真空吸力固定于该晶圆上。
依据上述构想,晶圆的固定方法中该方法于抽出该沟槽中的气体后,还包含一步骤:除去真空使气体回流至所述沟槽中,以移除平板与晶圆间的真空吸力。
依据上述构想,晶圆的固定方法中所述沟槽经抽气后,其压力系较周围环境低50~200mmHg。
依据上述构想,晶圆的固定方法中该基座还包含数个沟槽,每一沟槽均具有一独立开口,因此每一沟槽可独立抽气,因应平板强度的不同,该数个沟槽经抽气后,于不同的沟槽系具有不同的真空度。
根据本发明的第三目的,其构想在提供一种粘合喷墨头喷孔片的方法,此喷墨头包含一用以喷射墨水的喷孔片,以及用以控制该墨水射出的数个晶片,所述每个晶片上具一镂空处,用以盛装墨水,其步骤系包含:将该晶片置于一具一沟槽的基座上,使该镂空处对应于该沟槽;于该晶片上涂布一粘着层;将该喷孔片对准放置于晶片上;抽出沟槽中的气体,使喷孔片藉一真空吸力固定于晶片上;加热粘着层,使粘着层粘合喷孔片及晶片;以及除去真空使气体回流至沟槽中,以移除喷孔片与晶片间的真空吸力。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造