[发明专利]半导体结构及其形成方法无效

专利信息
申请号: 97123044.7 申请日: 1997-11-24
公开(公告)号: CN1196581A 公开(公告)日: 1998-10-21
发明(设计)人: W·P·诺布尔;A·K·加塔利亚;B·埃尔-卡埃 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L21/762;H01L21/336;H01L21/8232
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 吴增勇,叶恺东
地址: 美国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 结构 及其 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体结构,其特征在于包括:

一种晶体管,它有栅极,所述栅极包括薄的介质和单独的栅极导体段,所述栅极导体基本上与所述薄介质一起延伸,所述栅极导体的顶面有相对的第一和第二边缘以及相对的第三和第四边缘;

包着所述第一和第二边缘的凸起的隔离物;

与所述第三边缘自对准的源和与所述第四边缘自对准的漏;和

与所述顶面接触的导电布线层。

2.一种如权利要求1所叙述的半导体结构,其特征在于在平表面上的复盖薄隔离物上复盖淀积所述栅极导体,然后利用掩模工艺来确定所述栅极导体图案。

3.一种如权利要求1所叙述的半导体结构,其特征在于所述薄隔离物有延伸到所述凸起的隔离物的均匀厚度。

4.一种如权利要求1所叙述的半导体结构,其特征在于所述凸起的隔离物包括浅沟槽隔离。

5.一种如权利要求1所叙述的半导体结构,其特征在于所述凸起的隔离物包括沟槽电容。

6.一种如权利要求1所叙述的半导体结构,其特征在于所述源和漏包括凸起的源/漏。

7.一种如权利要求1所叙述的半导体结构,其特征在于所述凸起的源和漏由淀积的多晶硅和淀积的非晶硅中的一种材料形成。

8.一种如权利要求1所叙述的半导体结构,其特征在于所述凸起的源和漏由有选择地生长的硅来形成。

9.一种如权利要求1所叙述的半导体结构,其特征在于所述凸起的源和漏还包括硅化物。

10.一种如权利要求1所叙述的半导体结构,其特征在于所述凸起的源和漏包括超浅结。

11.一种半导体结构,其特征在于包括:

一种晶体管,它有栅极,所述栅极包括薄介质和单独的栅极导体段,所述栅极导体基本上与所述薄介质一起延伸,所述栅极导体的顶面有相对的第一和第二边缘,

包着所述第一和第二边缘隔离结构,所述隔离结构有邻接着所述第一和第二边缘的几乎垂直的侧壁,

所述介质具有延伸到凸起的隔离结构的基本上均匀的厚度。

12.一种形成FET的方法,其特征在于包括如下的步骤:

a)提供具有包括栅极介质层和栅极导体层的栅极叠层的衬底,所述栅极叠层有顶面;

b)去掉所述栅极叠层第一部分,在由此而暴露出来的所述衬底上刻蚀用于凸起的隔离的沟槽;

c)淀积绝缘层并使之形成向着所述栅极叠层的所述顶面的平面;

d)去掉所述栅极叠层的用于源/漏区的第二部分,并暴露出邻近所述源/漏区的所述栅极叠层的侧壁;

e)形成邻近所述栅极叠层的所述暴露的侧壁的隔离层;和

f)在所述源和漏区的暴露的部分形成源/漏扩散。

13.一种如权利要求12所叙述的方法,其特征在于所述步骤(f)是通过形成凸起的源/漏和从所述凸起的源和漏的扩散过程这样的步骤来完成的。

14.一种如权利要求13所叙述的方法,其特征在于所述凸起的源/漏是通过以下步骤来形成的:淀积非晶硅或多晶硅,使所述硅平面化和刻蚀所述硅,所述刻蚀步骤在所述源/漏区的所述暴露的部分留下所述硅的一部分。

15.一种如权利要求14所叙述的方法,其特征在于进一步包括在所述硅中掺杂的步骤。

16.一种如权利要求14所叙述的方法,其特征在于所述平面化步骤是通过抛光来完成的。

17.一种如权利要求14所叙述的方法,其特征在于所述平面化步骤是通过平面化刻蚀来完成的。

18.一种如权利要求13所叙述的方法,其特征在于所述凸起的源/漏是通过从所述源和漏区上有选择地生长硅的步骤来形成的。

19.一种如权利要求13所叙述的方法,其特征在于进一步包括使所述凸起的源和漏形成硅化物的步骤。

20.一种形成集成电路的方法,其特征在于包括如下步骤:

在半导体衬底上形成栅极,所述栅极有第一和第二边缘;

在邻近所述第一和第二边缘的所述衬底上形成隔离结构;

刻蚀所述栅极以形成第三和第四边缘;和

在邻近所述第三和第四边缘的所述衬底上形成扩散区域。

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