[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 97125250.5 | 申请日： | 1997-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1087498C | 公开（公告）日： | 2002-07-10 |
| 发明（设计）人： | 铃木久满 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌,傅康 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底表面上形成栅氧化膜和给发射极接触开孔；在栅氧化膜上形成导电膜和绝缘膜；在包括用于发射极接触区的区域上选择性地原封不动保持绝缘膜；形成用于栅电极的掩模；和同时形成栅电极和发射极电极。
2.根据权利要求1的方法，其中所述导电膜是以非掺杂的多晶或非晶硅形式淀积的。
3.根据权利要求1的方法，其中所述导电膜是淀积的含有N型杂质的多晶硅，浓度在1×1017-1×1021cm-3。
4.根据权利要求1的方法，其中所述导电膜是由具有高熔点金属的硅化物和多晶或非晶硅组成的复合膜。
5.根据权利要求1的方法，其中所述导电膜是高熔点金属或者具有高熔点金属的硅化物。
6.根据权利要求1的方法，其中对双极晶体管的所述栅电极、源-漏区和非本征基极的表面进行硅化处理。
7.根据权利要求1的方法，其中在所述形成用于栅电极的掩模的步骤形成了用于栅电极和发射极电极的掩模。
8.根据权利要求7的方法，其中所述导电膜是以非掺杂的多晶或非晶硅形式淀积的。
9.根据权利要求7的方法，其中所述导电膜是淀积的含有N型杂质的多晶硅，浓度在1×1017-1×1021cm-3。
10.根据权利要求7的方法，其中所述导电膜是由具有高熔点金属的硅化物和多晶或非晶硅组成的复合膜。
11.根据权利要求7的方法，其中所述导电膜是高熔点金属或者具有高熔点金属的硅化物。
12.根据权利要求7的方法，其中对双极晶体管的所述栅电极、源-漏区和非本征基极的表面进行硅化处理。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电气株式会社，未经日本电气株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/97125250.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
