[发明专利]磁光记录介质无效
| 申请号： | 97125345.5 | 申请日： | 1997-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN1184269A | 公开（公告）日： | 1998-06-10 |
| 发明（设计）人： | 安孙子透 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | G03G5/043 | 分类号： | G03G5/043 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蒋世迅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 记录 介质 | ||
【权利要求书】：
1.一种磁光记录介质，它包括：
衬底上形成的第一介电层；
第一介电层上形成的第二介电层，且至少含氮化硅，以及
第二介电层上形成的记录层，记录层的居里温度为200℃或更高；
该磁光记录介质的特征是，第一介电层的热导率小于第二介电层的热导率。
2.按照权利要求1的磁光记录介质，其特征是，第一介电层至少含ZnS。
3.按照权利要求2的磁光记录介质，其特征是，第一介电层中ZnS的含量不小于70mol％。
4.按照权利要求1的磁光记录介质，其特征是，第一介电层的厚度为35-70nm。
5.按照权利要求1的磁光记录介质，其特征是，第二介电层的厚度为40-75nm。
6.按照权利要求1的磁光记录介质，其特征是，第一介电层的热导率为第二介电层的1/5至1/3。
7.按照权利要求1的磁光记录介质，其特征是，允许第一介电层的折射率大于第二介电层的折射率。
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