[发明专利]磁光记录介质

说明书

本发明涉及磁光记录介质借助磁光效应再现信息信号，尤其是，本发明涉及这样一种磁光记录介质，可以将其中记录层的居里温度安排在较高温度上。

近年来，随着处理信息量的增大，例如，在用于计算机等的记录介质领域，显然要求扩大用作外存储器的记录介质记录容量。此外，在ISO格式的普通磁光记录和再现设备领域，已经使用红光激光二极管发射激光，其波长为680nm，记录容量为普通机器四倍的系统已进入市场。另外，允许系统记录容量为普通机器八倍的要求也很迫切。

用于这种记录和再现设备的磁光盘结构如图1所示，由PC(聚碳酸酯)或透激光束玻璃制成的衬底100有下介电层101，记录薄膜102，上介电层103，反射膜104和保护膜105，按这个顺序逐个重叠而成。下介电层101和上介电层103是由，如氮化硅(SiN)构成，记录薄膜102是由，如非结晶化合物TbFeCo构成，反射膜104是由，如Al构成，和保护膜是由，如紫外固化树脂构成。

如果信息信号记录在这个磁光盘的记录薄膜102上，激光束就射到记录薄膜102。这会导致记录薄膜102温度升高，当记录薄膜102温度高于其居里温度时，记录薄膜102的磁性就消失。之后，在记录薄膜冷却的过程中，特定的外磁场加到这记录薄膜102，在这一过程中，记录薄膜102的磁性就会在指定方向产生，从而形成有特定磁化方向的记录标记。

为了使按上述原理工作的磁光盘获得大容量来记录信号，必需减小记录标记的尺寸。然而，减小磁光盘上记录标记的尺寸，就导致信号量(强度)下降。另一方面，若磁光盘中包含由稀土金属/过渡金属制成的记录薄膜102，就能够通过提高记录薄膜102的居里温度来扩大信号量。若磁光盘中记录薄膜102的居里温度已经升高，就能够补偿因记录标记收缩而使信号量下降。适当改变构成记录薄膜102的元素成分，就能够把这种磁光盘中记录薄膜102的居里温度提高到所需的温度。

现参照图2，此图画出记录层102居里温度与四层结构磁光盘居里转角之间关系的特性曲线。这个克尔转角给出一个正比于信号量的值。从图2中显而易见，记录薄膜102居里温度越高，克尔转角就越大。就是说，把记录薄膜的居里温度安排在较高温度上，就能够扩大信号量。

然而，如果用提高上述磁光盘中记录薄膜102的居里温度来扩大信号量，则在记录过程中必然把记录薄膜102的温度升高相同度数。当信息信号被记录时，磁光盘中记录薄膜102就会升高温度，直至记录薄膜的温度到达居里温度，因而大量热量就会传送到衬底100。结果，这种结构的磁光盘就会因发热而使衬底质量下降。如果这一磁光盘中衬底质量下降，通常所说的重复记录和再现性能也会下降，具体地说，普通磁光盘中有稀土金属/过渡金属制成的记录薄膜102，通常把居里温度的最高值安排在180℃左右。

因此，采用上述的普通磁光盘，把记录薄膜102的居里温度安排在较高温度上来扩大信号量是困难的，所以，基于微小记录标记而获得高密谋记录也是困难的。

以普通磁光盘的这种情况特征作为背景提出了本发明，本发明的意图是提供一种磁光记录介质，这种记录介质把记录薄膜的居里温度安排在较高温度，能够扩大信号量而没有使重复记录和再现性能下降。

已经制成的本发明磁光记录介质达到了上述目的，这种磁光记录介质有一个在衬底上形成的第一介电层，一个在第一介电层上形成的第二介电层，它至少包含氮化硅，以及一个在第二介电层上形成的记录层，这记录层磁性薄膜的居里温度不低于200℃。考虑到把第一介电层的热导率做得比第二介电层的小，制成这种磁光记录介质。

在上述结构的本发明磁光记录介质中，制成的第一介电层比第二介电层有较低的热导率。所以，这种磁光盘的记录层中热量很难传送到衬底。因此，在这种磁光盘中不会发生因加热而使衬底恶化，该磁光盘具有良好的重复记录和再现性能。

图1是普通磁光盘中重要部分的横截面图。

图2给出记录层居里温度与该记录层克尔转角之间关系的特性曲线。

图3是按照本发明磁光记录介质中重要部分的横截面图。

图4是四层的磁光盘中重要部分的横截面图。

图5给出图4所示四层的磁光盘膜厚与膜反射系数之间关系的特性曲线。

图6给出本发明一个实施例中磁光盘的第二介电层膜厚与记录噪声之间关系的特性曲线。

图7给出本发明一个实施例中磁光盘的第一介电层折射率与其性能指数之间关系的特性曲线。

图8给出第一介电层中SiO₂加入量与第一介电层折射率之间关系的特性曲线。