[发明专利]半导体器件

权利要求书

1、一种半导体器件，其特征在于包含：

形成在半导体基片上的多个电路元件；

在所述半导体基片上以选择的方式提供用于将所述电路元件彼此电隔离的场 氧化物薄膜；

用于向所述电路元件中的第一个提供外部信号的输入端；

用于从所述电路元件中的第二个向外提供信号的输出端；及

一对内置在所述第一电路元件与所述输入端之间及所述第二电路元件与所述输出端之间用于在外部电涌中保护所述电路元件的保护元件；

每个所述保护元件包括多个并行设置的MOS晶体管，而其中每个MOS晶体管包括一个源极区、一源极电极、一漏极区、一漏极电极、一绝缘区以及一栅极电极，而其中源极电极包括以选择的方式形成在所述半导体基片的表面部分的第一导电型的一区域上的第二导电型的第一扩散层和形成在第二导电型的所述第一扩散层的表面上的第一金属硅化物层；源电极与所述第一金属硅化物层连接；漏极区包括第二导电型的第二扩散层，其在第一导电型的所述区域的至少一表面部分上与第二导电型的所述第一扩散层成相对的关系设置，并且延伸的比所述第二导电型的第一扩散层深；还包括形成在第二导电型的所述第二扩散层的表面部分上并包含浓度比第二导电型的所述第二扩散层的表面部分的浓度高的杂质浓度的第二导电型的第三扩散层，提供在第二导电型的所述第三扩散层的表面上的第二金属硅化物层；漏电极与所述第二金属硅化物层连接，在第二导电型的所述第一扩散层与第二导电型的所述第三扩散层之间形成一绝缘区并且从第二导电型的所述第二扩散层的表面延伸到一预定深度；另外其中的栅电极盖住第二导电型的所述第一扩散层与内置有栅绝缘膜的所述绝缘区之间的所述半导体基片的表面。

2、根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于每个形成所述保护元件的所述MOS晶体管在所述栅极电极和所述源电极与同一电源端相连，当所述漏极电极被施加一过高电压时，沿从所述漏极电极到第二导电型的所述第一扩散层的电流线路的寄生电阻通过提供第二导电型的所述第二扩散层而增大，从而热击穿电压被设定的比所述漏电极的承受电压要高。

3、根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于形成所述保护元件的所述MOS晶体管的沟道长度被设定为比形成所述电路元件的MOS晶体管的最小沟道长度的三倍要短。

4、根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于还包含第二导电型的第四扩散层，其与第二导电型的所述第一扩散层的至少一个底面相接触，并且具有比第二导电型的所述第一扩散层的浓度低的浓度。

5、根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于其中第二导电型的所述第四扩散层围住第二导电型的所述第一扩散层。

6、根据权利要求1、2、4及5中任一个权利要求所述的半导体器件，其特征在于其中第二导电型的所述第二扩散层与第二导电型的阱同时形成。

7、根据权利要求4或5所述的半导体器件，其特征在于其中所述第二导电型的第四扩散层与第二导电型的阱同时形成。

8、根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于还包含在端部与形成保护元件的每个所述MOS晶体管的漏极电极相连的电阻元件，及在所述电阻元件的另一端与MOS晶体管的源电极之间内置的一个钳制二极管，其具有比MOS晶体管的击穿电压低的耐压。