[发明专利]使阈值电压上升的升压阱

权利要求书

1.用来制造具有栅的MOS器件的一种改进方法，该MOS器件具有属于第一导电类型源区和漏区，它们是在属于第二导电类型的衬底区域上形成的，该改进方法的特征为，将属于第二导电类型的掺杂物注入到衬底内，这样在栅长度减短时，来增加属于第二导电类型的掺杂物在某一区域内的掺杂物浓度，这个区域一般在源区域和漏区域的中间。

2.按照权利要求1的方法，其特征为，注入是在30°或更大的角度下进行的。

3.按照权利要求1的方法，其特征为，注入是按四个步骤进行的，每一步骤都对衬底倾斜约30°或更大。

4.在制造具有标称栅长度1的MOS器件而其中某些器件的栅长度小于1时，改进的特征为，将器件的栅下面的沟道掺杂，使栅长度小于1的那些器件的栅下面的掺杂物浓度比栅长度为1的那些器件的栅下面的掺杂物浓度高。

5.一种在第一导电类型的衬底区内形成晶体管的方法包括下列步骤：

形成与衬底区域绝缘的栅；及

将属于第一导电类型的掺杂物以约为30°或更大的角度注入到衬底内。

6.按照权利要求5的方法，其特征为，注入的第一导电类型的掺杂物包括以约为15KEV或更大的能量注入的B₁₁。

7.按照权利要求5的方法，其特征为，注入的第一导电类型的掺杂物包括磷。

8.按照权利要求5的方法，其特征为，注入的第一导电类型的掺杂物包括砷。

9.按照权利要求6的方法，其特征为，栅的长度约为0.25微米或更小。

10.按照权利要求7的方法，其特征为，栅的长度约为0.25微米或更小。

11.按照权利要求8的方法，其特征为，栅的长度约为0.25微米或更小。