[发明专利]介电元件的制造方法

权利要求书

1.一种包含上电极、介电薄膜和下电极的介电元件，其中所述介电薄膜包含电阻值不等于或小于10⁶Ω的绝缘粒子。

2.根据权利要求1的介电元件，其中所述介电薄膜包含铁电薄膜和高介电薄膜中的至少一种。

3.根据权利要求1或2的介电元件，其中所述绝缘粒子的粒径等于或小于50埃。

4.根据权利要求2的介电元件，其中所述铁电薄膜由从表达式为(Pb_1-xA_x)(Zr_1-yTi_y)O₃(其中A为从La、Ba、Nb中选出的一种)、(AO)²⁺(B_y-1C_yO_3y+1)^2-(其中A为从Tl、Hg、Pb、Bi和稀土元素中选出的至少一种；B为从Bi、Pb、Ca、Sr、Ba中选出的至少一种；C为从Ti、Nb、Ta、W、Mo、Fe、Co、Cr、Zr中选出的至少一种；y＝2、3、4、5)组成的材料中选出一种制成。

5.根据权利要求2的介电元件，其中所述介电薄膜由从表达式为(Ba_1-xSr_x)TiO₃和(Pb_1-xA_x)(Zr_1-yTi_y)O₃(其中A为从La、Ba、Nb中选出的一种)组成的材料中选出一种制成。

6.根据权利要求1的介电元件，其中所述绝缘粒子为包含硅元素的化合物。

7.根据权利要求1的介电元件，其中所述下电极包含金属、单一元素的导电性氧化物、具有钙钛矿结构的导电性氧化物，它们按此顺序在基板上形成，并且所述导电性氧化物沿特定平面取向。

8.根据权利要求2的介电元件，其中所述上电极包含具有钙钛矿结构的导电性氧化物和金属，或包含具有钙钛矿结构的导电性氧化物、单一元素的导电性氧化物和金属，它们按此顺序在与所述铁电薄膜或所述高介电薄膜接触的一面上形成。

9.根据权利要求4的介电元件，其中所述铁电薄膜的厚度等于或大于200埃，并且所述介电元件在漏泄电流密度不等于或大于10^-5A/cm²时耐电压不等于或低于2V。

10.根据权利要求5的介电元件，其中所述高介电薄膜的厚度等于或大于200埃，并且所述介电元件在漏泄电流密度不等于或大于10^-5A/cm²时耐电压不等于或低于2V。

11.根据权利要求7或8的介电元件，其中所述金属为从Pt、Au、Al、Ni、Cr、Ti、Mo、W中选出的至少一种。

12.根据权利要求7或8的介电元件，其中所述单一元素的导电性氧化物为从Ti、V、Eu、Cr、Mo、W、Ph、Os、Ir、Pt、Re、Ru、Sn中选出的至少一种元素的氧化物，并且该氧化物电阻系数等于或小于1mΩ·cm。

13.根据权利要求7或8的介电元件，其中所述具有钙钛矿结构的导电性氧化物为从ReO₃、SrReO₃、BaReO₃、LaTiO₃、SrVO₃、CaCrO₃、SrCrO₃、SrFeO₃、La_1-xSr_xCoO₃(0＜x＜0.5)、LaNiO₃、CaRuO₃、SrRuO₃、SrTiO₃、BaPbO₃中选出的至少一种，并且其电阻率等于或小于1mΩ·cm。

14.一种形成介电薄膜的方法，其中包含以下步骤：在不高于650℃的温度下在氧气和惰性气体的混合气氛中通过溅射的方法形成介电薄膜。