[发明专利]带薄膜基板的制造方法和制造装置无效
申请号: | 97190293.3 | 申请日: | 1997-03-27 |
公开(公告)号: | CN1188516A | 公开(公告)日: | 1998-07-22 |
发明(设计)人: | 野村文保 | 申请(专利权)人: | 东丽株式会社 |
主分类号: | C23C14/56 | 分类号: | C23C14/56 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 制造 方法 装置 | ||
1、一种带薄膜的基板的制造方法,该方法是在成膜区域前后,设有具有可以多级式地收纳成膜对象基板的第1和第2储料室的成膜室,在该成膜室的前后,分别设有具有可以多级式地收纳成膜对象基板的投入室和取出室,在该成膜室中,在成膜对象基板正在成膜期间,在把下一成膜对象基板组投入投入室中并排完气的同时,把上次已成膜完毕的成膜对象基板组从取出室中取出,其特征是:边使该成膜对象基板通过该成膜区域边使之成膜。
2、权利要求1所述的带薄膜的基板的制造方法,其特征是:从第1储料室中顺次取出该成膜对象基板,使之顺次通过成膜区域,顺次取入到第2储料室中去,接着从第2储料室中顺次取出该成膜对象基板,使之顺次通过成膜区域,顺次取入到第1储料室中去,在密闭的成膜室中反复进行移动,进行成膜。
3、权利要求1所述的带薄膜的基板的制造方法,其特征是:该通过速度实质上是恒速的。
4、权利要求2所述的带薄膜的基板的制造方法,其特征是:一次成膜之后,保持该成膜室减压后的状态不变,交换成膜粒子的发生源的物质,再次使成膜对象基板通过成膜区域,进行2层以上的成膜。
5、权利要求1所述的带薄膜的基板的制造方法,其特征是:在该成膜室中,设有2种以上的成膜粒子发生物质,用从第1储料室向第2储料室的一次移动,进行2层以上的成膜。
6、权利要求1所述的带薄膜的基板的制造方法,其特征是:在投入室之前,设有第2投入室,在成膜室中成膜对象基板正在成膜期间,一个接一个把成膜对象基板组投入第2投入室中,并排好气。
7、权利要求1所述的带薄膜的基板的制造方法,其特征是:在取出室的前后设有第2取出室,在成膜室中正在成膜期间,把上次已成膜完毕的对象基板组在保持已减压的原样不变的状态下,实施从取出室移往第2取出室的操作和把在其之前已成膜完毕的成膜对象基板组从第2取出室取出的操作。
8、权利要求1所述的带薄膜的基板的制造方法,其特征是:对该投入室加热。
9、权利要求1所述的带薄膜的基板的制造方法,其特征是:在该成膜室中,根据已形成于成膜监视器上的监视器薄膜的膜厚,边控制成膜工艺边成膜。
10、权利要求9所述的带薄膜的基板的制造方法,其特征是:控制该成膜工艺的方法,在成膜期间内,施行使成膜基板温度、真空度、成膜区域的长度、成膜对象基板的通过速度或成膜粒子的密度中的任何一个进行变更或者它们的组合。
11、权利要求10所述的带薄膜的基板的制造方法,其特征是:控制该成膜工艺的方法是变更成膜基板温度。
12、权利要求10所述的带薄膜的基板的制造方法,其特征是:控制该成膜工艺的方法是变更真空度。
13、权利要求10所述的带薄膜的基板的制造方法,其特征是:控制该成膜工艺的方法是变更成膜区域的长度。
14、权利要求10所述的带薄膜的基板的制造方法,其特征是:控制该成膜工艺的方法是变更成膜对象基板的通过速度。
15、权利要求10所述的带薄膜的基板的制造方法,其特征是:控制该成膜工艺的方法是变更成膜粒子的密度。
16、权利要求9所述的带薄膜的基板的制造方法,其特征是:把该成膜监视器配置于成膜区域之内且基板区域之外。
17、权利要求9所述的带薄膜的基板的制造方法,其特征是:在该成膜室中设有成膜区域限定构件,把该成膜监视器配置于该成膜区域限定构件与该成膜粒子发生源之间。
18、权利要求9所述的带薄膜的基板的制造方法,其特征是:边使该成膜监视器在该成膜区域内移动边形成薄膜。
19、权利要求9所述的带薄膜的基板的制造方法,其特征是:根据该监视器薄膜的膜厚测定成膜速度,根据该成膜速度控制该成膜工艺。
20、权利要求9所述的带薄膜的基板的制造方法,其特征是:使该成膜速度变为恒定那样地成膜。
21、权利要求9所述的带薄膜的基板的制造方法,其特征是:该成膜监视器的膜厚的测定方法是光干涉法。
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