[发明专利]用于微电子互连元件的接触端头结构及其制造方法无效
申请号: | 97190558.4 | 申请日: | 1997-05-15 |
公开(公告)号: | CN1194692A | 公开(公告)日: | 1998-09-30 |
发明(设计)人: | T·H·道兹尔;B·N·艾尔德里格;I·Y·汉德罗斯;G·L·马思乌;S·A·泰勒 | 申请(专利权)人: | 福姆法克特公司 |
主分类号: | G01R1/067 | 分类号: | G01R1/067;G01R1/073 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王勇,张志醒 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 微电子 互连 元件 接触 端头 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造互连元件的方法,所述互连元件具有用于与一个电子元件的端子进行连接的端部,该方法包括以下步骤:
在一个牺牲衬底上预制备接触端头结构;
将接触端头结构连接至互连元件的端部;和
在将该接触端头结构连接至互连元件的端部之后,去除牺牲衬底,最终形成在其端部已连接有预制备的接触端头结构的带端头的互连元件。
2.根据权利要求1的方法,其中:该互连元件是细长的。
3.根据权利要求1的方法,其中:该互连元件是复合互连元件。
4.根据权利要求1的方法,其中:该互连元件是单体互连元件。
5.根据权利要求1的方法,其中:该互连元件是钨针。
6.根据权利要求1的方法,其中:该互连元件是一个膜板探针的接触凸台。
7.根据权利要求1的方法,还包括:
使该接触端头结构的一个表面形成有一个拓扑接触结构,在使用时,此接触结构增强由接触端头结构与一个电子元件的相应端子形成的压接式电连接。
8.根据权利要求7的方法,其中:该拓扑接触结构为棱锥形。
9.根据权利要求7的方法,其中:该拓扑接触结构为截棱锥形。
10.根据权利要求7的方法,其中:该拓扑接触结构为一个或多个陷窝形。
11.根据权利要求1的方法,其中:该接触端头结构通过铜(硬)焊连接至该互连元件。
12.根据权利要求1的方法,其中:该接触端头结构通过镀敷连接至该互连元件。
13.根据权利要求1的方法,其中:该接触端头结构采用导电粘结剂连接至该互连元件。
14.根据权利要求1的方法,其中:该接触端头结构是采用平版印刷工艺形成于该牺牲衬底上的。
15.根据权利要求1的方法,其中:该互连元件是从一个电子元件的一个表面延伸出的导电支柱。
16.根据权利要求15的方法,其中:该接触端头结构为细长的。
17.根据权利要求1的方法,还包括:
按细长的接触端头结构(形状),在牺牲衬底上制备该接触端头结构,每一细长接触端头结构具有一个端部和另一个端部。
18.根据权利要求17的方法,还包括:
如此制备该细长的接触端头结构,即,它们的一个端部是共线的。
19.根据权利要求17的方法,其中:该细长的接触端头结构是交替取向的。
20.根据权利要求17的方法,其中:该细长的接触端头结构的长度是交替变化的。
21.根据权利要求1的方法,其中:该牺牲衬底通过蚀刻去除。
22.根据权利要求1的方法,其中:该牺牲衬底通过加热去除。
23.根据权利要求1的方法,其中:该端头结构是通过以下步骤形成的:在该牺牲衬底上形成一个掩模层;在该掩模层中形成开口;在开口中淀积至少一层金属材料。
24.根据权利要求23的方法,其中:该金属材料是从由下列材料组成的组中选出的:
镍以及其合金;
铜、钴、铁、以及它们的合金;
金(尤其是硬质金)和银;
铂族元素;
贵金属;
半贵金属以及它们的合金,尤其是钯族元素以及它们的合金;
钨、钼和其它高熔点金属以及它们的合金;和
锡、铅、铋、铟以及它们的合金。
25.根据权利要求1的方法,其中:该接触端头结构是细长的,并且在第一方向上从一个端部至一个相对的端部锥形渐缩。
26.根据权利要求25的方法,其中:该接触端头结构在与第一方向正交的另一方向上从所述的一个端部至一个相对的端部锥形渐缩。
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